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张立东

作品数:5 被引量:12H指数:2
供职机构:四川大学更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金四川省科技支撑计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇溅射
  • 4篇高熵合金
  • 4篇合金
  • 3篇阻挡层
  • 3篇扩散阻挡层
  • 2篇工作气体
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇真空度
  • 1篇射频反应磁控...
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇膜厚
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒尺寸
  • 1篇晶体
  • 1篇溅射沉积
  • 1篇溅射功率
  • 1篇反应磁控溅射
  • 1篇靶材

机构

  • 5篇四川大学
  • 1篇四川理工学院

作者

  • 5篇张立东
  • 4篇汪渊
  • 2篇石云龙
  • 2篇张伟
  • 2篇孙化冬
  • 1篇刘望
  • 1篇王飞
  • 1篇刘春海
  • 1篇陈顺礼

传媒

  • 1篇金属学报
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
双层高熵合金扩散阻挡层的制备方法
本发明公开了一种双层高熵合金扩散阻挡层的制备方法,主要包含以下步骤:将单晶Si基体进行超声波清洗;采用反溅射清洗去除单晶Si基体中杂质,采用预溅射清洗去除靶材和靶片中的杂质;在通入Ar和N流量比为1:(0.65~0.9)...
汪渊石云龙张立东
文献传递
AlCrTaTiNi/(AlCrTaTiNi)N双层扩散阻挡层的制备及热稳定性被引量:4
2013年
通过多靶共溅射的方法,制备了(AlCrTaTiNi)N和双层AlCrTaTiNi/(A1CrTaTiNi)N扩散阻挡层,并利用XRD,EDS和SEM研究了其组织结构、相组成及在高温下的热稳定性能.结果表明Cu/(A1CrTaTiNi)N/Si经500℃退火后界面处已有脱开倾向,700℃后Cu膜则完全脱落.AlCrTaTiNi可增强Cu和(A1CrTaTiNi)N的粘附性.AlCrTaTiNi/(AlCrTaTiNi)N经800℃退火后仍能起到有效的扩散阻挡性能,900℃下出现了深能级的Cu-Si相,方块电阻急剧升高,表明该阻挡层失效.
张立东王飞陈顺礼汪渊
关键词:高熵合金热稳定性
晶体AlCrTaTiNi高熵合金薄膜被引量:8
2012年
用多靶射频磁控溅射技术,在纯氩气氛中不同溅射功率(40~100W)下在Si(100)基底上制备晶体AlCrTaTiNi高熵合金薄膜。同时用四点探针(FPP)X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)及其附带的能谱分析仪对薄膜的电性能和微结构进行表征。分析结果表明AlCrTaTiNi高熵合金薄膜在溅射功率为80W时的晶粒尺寸最大,电阻率最低,为160μΩ.cm左右。同时截面SEM形貌显示形成的晶体并非柱状晶体。
张立东刘春海孙化冬张伟
关键词:高熵合金晶粒尺寸溅射功率膜厚
双层高熵合金扩散阻挡层的制备方法
本发明公开了一种双层高熵合金扩散阻挡层的制备方法,主要包含以下步骤:将单晶Si基体进行超声波清洗;采用反溅射清洗去除单晶Si基体中杂质,采用预溅射清洗去除靶材和靶片中的杂质;在通入Ar和N流量比为1:(0.65~0.9)...
汪渊石云龙张立东
文献传递
常温低氮氩比下(002)择优取向氮化铝薄膜的制备
2011年
常温下采用反应射频磁控溅射方法在玻璃基底上制备出(002)单一择优取向柱状结构的氮化铝薄膜,通过XRD分析发现溅射功率为80W、溅射气压为0.20 Pa、氮气与氩气比为5%时,氮化铝(002)晶体衍射峰最强,通过FESEM表面及截面分析表明在此条件下得到的氮化铝薄膜表面较平整、致密性较好.
孙化冬彭冬香张伟张立东刘望汪渊
关键词:AIN薄膜射频反应磁控溅射沉积速率
共1页<1>
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