锁国权
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京科技大学冶金与生态工程学院更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 多晶硅副产品SiCl4综合利用的研究
- 四氯化硅(SiCl4)是改良西门子工艺中的副产品，其产量高达10～15t/t多晶硅，可以说能否合理、有效地综合利用好SiCl4副产品对于多晶硅产业的健康发展生死攸关，本文分析了多晶硅生产过程中副产品四氯化硅的产生途径、四...
- 马瑞新李世娜锁国权任磊
- 关键词：多晶硅综合利用
- 偏压对ITO薄膜生长模式和光电性能的影响被引量：4
- 2012年
- 为明确溅射偏压对ITO薄膜性质的影响,用射频磁控溅射法于室温在玻璃衬底制备出ITO透明导电薄膜,研究了不同偏压下ITO薄膜的生长模式、光学和电学性能.结果表明:随着偏压的增加,薄膜沉积模式经历了沉积、沉积和扩散、表面脱附3种方式;AFM和SEM显示,偏压为100 V时,膜层表面光洁、均匀,粗糙度最小,均方根粗糙度为1.61 nm;XRD分析表明偏压会影响与薄膜的择优取向,偏压为100 V时,薄膜晶粒取向为(222)面;薄膜偏压为120 V时,薄膜的光电性能最佳,电阻率最低为2.59×10-4Ω.cm,可见光区的平均透过率在85%以上;偏压的大小使薄膜的吸收边发生了"蓝移"或"红移".
- 马瑞新李士娜锁国权任磊
- 关键词：ITO薄膜偏压微观结构光电性能
