李士娜
- 作品数：24 被引量：10H指数：2
- 供职机构：北京科技大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程理学更多>>
- 一种金属镁转子磁悬浮交流电动机制造方法
- 本发明提供一种金属镁转子磁悬浮交流电动机制造方法，属于交流电动机制造领域。该方法制造的磁悬浮交流电动机所使用的定子和传统的交流电动机的定子是一样的，根本区别在于磁悬浮交流电动机的转子，该电动机的转子不使用硅钢片，也不加入...
- 马瑞新李文田李士娜牛建文刘子林程诗垚
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- 一种太阳能电池吸收层材料及其制备方法
- 本发明提供一种太阳能电池吸收层材料及其制备方法，属于太阳能光电吸收层材料、半导体材料领域。本发明结合中国的稀土资源优势，采用稀土元素取代In制备太阳能电池吸收层材料Cu(In<Sub>x</Sub>X<Sub>1-x</...
- 马瑞新李士娜牛建文程诗垚刘子林
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- 偏压对ITO薄膜生长模式和光电性能的影响被引量：4
- 2012年
- 为明确溅射偏压对ITO薄膜性质的影响,用射频磁控溅射法于室温在玻璃衬底制备出ITO透明导电薄膜,研究了不同偏压下ITO薄膜的生长模式、光学和电学性能.结果表明:随着偏压的增加,薄膜沉积模式经历了沉积、沉积和扩散、表面脱附3种方式;AFM和SEM显示,偏压为100 V时,膜层表面光洁、均匀,粗糙度最小,均方根粗糙度为1.61 nm;XRD分析表明偏压会影响与薄膜的择优取向,偏压为100 V时,薄膜晶粒取向为(222)面;薄膜偏压为120 V时,薄膜的光电性能最佳,电阻率最低为2.59×10-4Ω.cm,可见光区的平均透过率在85%以上;偏压的大小使薄膜的吸收边发生了"蓝移"或"红移".
- 马瑞新李士娜锁国权任磊
- 关键词：ITO薄膜偏压微观结构光电性能
- 一种赤泥和高磷铁矿综合利用的方法
- 本发明涉及一种铝冶金赤泥和高磷铁的综合利用方法，具体为赤泥和高磷铁矿固态脱磷提铁技术。该方法包括以下的制备步骤：a、将粉状高磷铁矿、粉状赤泥、煤粉按照100：1～100：1～100的比例混合均匀；b、将步骤a的混合材料在...
- 马瑞新李士娜肖玉琴黄凯李东冉贺良伟
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- 射频磁控溅射法制备Ti掺杂ITO薄膜的厚度对膜结构与光电性能的影响被引量：1
- 2016年
- 利用Ti掺杂ITO靶材,采用单靶磁控溅射法在玻璃基底上制备厚度为50～300 nm的ITO：Ti薄膜。借助X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、可见光分光光度计、霍尔测试系统和四探针电阻测量仪,研究薄膜厚度对薄膜的晶体结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明：ITO：Ti薄膜呈现（400）择优取向,随薄膜厚度增加,薄膜的结晶程度增强,晶粒度增大,薄膜更致密。随薄膜厚度增加,薄膜的均方根粗糙度和平均粗糙度以及电阻率都先减小再增加,薄膜厚度为250 nm时,表面粗糙度最小,蒋膜厚度为200 nm时,电阻率最低,为2.1×10^-3Ω·cm。不同厚度的薄膜对可见光区的平均透过率都在89%以上。
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- 关键词：射频磁控溅射薄膜厚度
- 一种镁钙冶炼机械化装置
- 本实用新型公开一种镁钙冶炼机械化装置，属于有色金属冶炼的技术领域。镁钙冶炼机械化装置包括还原罐、预煅烧桶和内套，内套的内部设置有纵向加强板，内套的顶部开设有一开口，内套的两端和中间设置有若干隔板，每个隔板上开设有若干通孔...
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- 一种短流程火法炼锌方法
- 一种短流程火法炼锌方法，属于有色金属冶金领域。炼锌过程是将粉状硫化物锌精矿通过流态化焙烧完全脱除S，转化成氧化物焙砂，然后以氧化物为主的焙砂经过造粒或者不经过造粒和粉煤一起加入到另外一台流态化还原炉中进行强还原，使ZnO...
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- 新型薄膜太阳能电池吸收层材料CuYSe2的研究
- 铜铟镓硒（CIGS）是目前已商业化的薄膜太阳能电池之一,但其中稀散元素铟和镓消耗量大、储量少。稀土元素钇储量丰富,在我国具有资源优势,开发利用稀土元素具有重要的经济和战略意义。本文通过钇取代CIGS中的铟和镓制备新型吸收...
- 李士娜
- 关键词：自蔓延高温合成法第一性原理反应机理
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- 室温固相合成Cu2ZnSnS4纳米粉体及其性能研究
- 四元化合物铜锌锡硫（CZTS）是一种新型薄膜太阳能电池吸收层材料,具有和铜铟镓硒相似的晶体结构与光电性能。CZTS是一种P型半导体材料,禁带宽度介于1.4eV1.5eV间。光吸收效率高达104cm-1,理论光电转换效率为...
- 马瑞新李士娜王硕杨帆
- 关键词：CZTS纳米粉体固相合成刮刀涂布
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- 基片温度对铌掺杂ITO透明导电薄膜性能的影响被引量：3
- 2013年
- 采用磁控溅射法以铌(Nb)掺杂氧化铟锡(ITO)为靶材制备了厚度为300nm的ITO:Nb薄膜,研究了不同基底温度下,薄膜的结构、导电性和可见光区的透过率。XRD分析表明所制备的ITO:Nb薄膜均为In2O3相;AFM显示ITO:Nb薄膜的均方根粗糙度随着温度的升高逐渐变大;薄膜的电阻率随着温度的升高逐渐减小,在300℃时得到最小值1.2×10-4·cm。电阻率下降主要是因为霍耳迁移率增大和载流子浓度逐渐增加。ITO:Nb薄膜在可见光内的平均透过率均大于87%,且随着温度的升高,吸收边发生"红移",禁带宽度逐渐增加。
- 马春红马瑞新李士娜扈百直钟景明朱鸿民
- 关键词：透明导电薄膜基片温度
