胡冰冰
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅基底的CVD扩磷工艺研究
- 2014年
- 文章利用化学气相沉积(CVD)扩磷的方法,在单晶硅基底上进行扩磷工艺研究。采用X射线光电子能谱分析扩磷硅基底,通过原子力显微镜观察扩磷时间和温度对硅基底表面形貌的影响,并利用半导体特性测试仪研究扩磷时间和温度对硅基底I-V特性的影响。结果表明,扩磷温度和时间对硅基底的表面粗糙度和晶粒的平均尺寸影响较大,扩磷时间越长、温度越高,硅基底的电学特性越明显。
- 杨旭何晓雄胡冰冰马志敏
- 关键词：硅基底表面形貌化学气相沉积VAPOUR
- 硅基SiC薄膜的制备及性能研究被引量：1
- 2015年
- 文章采用电子束物理气相沉积法在单晶Si(100)基片上制备了单层SiC薄膜和Al2O3/SiC双层膜,然后在不同温度下经氩气保护退火。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对所制备的薄膜进行了结构和表面形貌分析。研究表明:退火后SiC薄膜由非晶态转为晶态,随退火温度的升高,薄膜结晶更充分,薄膜表面平均粗糙度变小;双层膜与单层膜相比,其SiC衍射峰有所增强,薄膜表面更加平滑。
- 胡冰冰何晓雄许世峰孙飞翔
- 关键词：SIC薄膜电子束物理气相沉积表面形貌X射线衍射
- EB-PVD制备硅基SiC薄膜及其性能研究被引量：2
- 2012年
- 文章采用电子束蒸发物理气相沉积(EB-PVD)技术在单晶Si片上制备SiC薄膜,通过台阶仪(surfaceprofiler)、原子力显微镜(AFM)、半导体综合测试仪、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌、电学性能及其结构进行分析。结果表明:SiC薄膜越厚,表面平均粗糙度越低;退火温度越高,薄膜结晶质量越好;对SiC薄膜进行辐照的光频率越高,光电流越大。
- 潘训刚何晓雄胡冰冰马志敏
- 关键词：SIC薄膜原子力显微镜扫描电子显微镜X射线衍射
