孙飞翔
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaAs光导开关损伤机理研究被引量：1
- 2017年
- 光导开关(photoconductive semiconductor switches,PCSS)的损伤分为热击穿和电击穿,2种击穿的原因都由开关基底材料陷阱特性决定,因此对芯片击穿机理与开关制作工艺关系的研究非常重要。文章依据开关芯片的材料特性和半导体工艺知识,研究和分析了光导开关的击穿机理以及开关击穿可能存在的工艺问题。
- 孙飞翔何晓雄常润发奚野
- 关键词：电击穿
- 光导开关欧姆接触电阻率测量方法研究被引量：1
- 2016年
- 光导开关对重掺杂半导体基底与多层金属电极形成的欧姆接触有很高的要求,欧姆接触的质量直接影响光导开关的效率、增益和开关速度等性能,因此准确地测量光导开关欧姆接触的参数非常重要。文章对适合光导开关的欧姆接触电阻率的测量方法进行了系统的归纳和整理,分析了各种测试方法的优点和局限性,明确了各测试方法的适用范围,对后续测试方法的改进提出了建议。
- 许世峰何晓雄孙飞翔
- 关键词：光导开关
- GaAs光导开关的特性和损伤机理研究
- 光导开关(Photoconductive semiconductor switch，PCSS)也就是通过光控制导通与关断的半导体开关器件。光导开关具有功率密度高（MW量级）、响应速度快（ps量级）、触发抖动低（ps量级）...
- 孙飞翔
- 关键词：GAAS光导开关欧姆接触导电性能
- 文献传递
- 硅基SiC薄膜的制备及性能研究被引量：1
- 2015年
- 文章采用电子束物理气相沉积法在单晶Si(100)基片上制备了单层SiC薄膜和Al2O3/SiC双层膜,然后在不同温度下经氩气保护退火。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对所制备的薄膜进行了结构和表面形貌分析。研究表明:退火后SiC薄膜由非晶态转为晶态,随退火温度的升高,薄膜结晶更充分,薄膜表面平均粗糙度变小;双层膜与单层膜相比,其SiC衍射峰有所增强,薄膜表面更加平滑。
- 胡冰冰何晓雄许世峰孙飞翔
- 关键词：SIC薄膜电子束物理气相沉积表面形貌X射线衍射
