郭培
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
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- 硅基线性模式APD焦平面研制
- 2022年
- 针对三维激光雷达的应用场景对雪崩光电二极管(APD)焦平面的性能要求,研究并制备了一种2×128硅基线性模式APD焦平面组件,它由硅基APD焦平面阵列、读出电路和制冷封装管壳组成。APD像元采用拉通型结构,通过大尺寸微透镜实现了高填充因子,通过隔离环掺杂实现了串扰抑制。通过离子注入工艺实现了击穿电压和响应电流的均匀性。设计大带宽低噪声跨阻放大电路、高精度计时电路,实现了窄脉宽、高灵敏度探测。采用气密性封装,实现了APD焦平面制冷一体化封装,制冷温差在40 K以上。测试结果表明,焦平面的探测阈值光功率可达3.24 nW,响应非均匀性为3.8%,串扰为0.14%,最小时间分辨率可达0.25 ns,实现了强度信息与时间信息同时输出的功能。
- 郭安然雷仁方黄建邓光平马华平黄烈云谷顺虎郭培
- 关键词：雪崩光电二极管焦平面阵列三维成像
- 激光退火在背照式CCD图像传感器中的应用研究
- 2023年
- 激光退火是消除背照式电荷耦合器件(CCD)图像传感器背面势阱的重要工艺。文章研究了激光退火工艺中不同的激光波长、能量密度、光斑交叠率对掺杂杂质激活效率、器件表面形貌、成像质量及紫外量子效率的影响。研究结果表明,在浅结注入的情况下,355 nm波长激光激活效率要优于532 nm激光,但是355 nm激光比532 nm激光更易在较低能量密度时使硅片出现龟裂现象。采用2 J/cm^(2)能量密度、50%~65%交叠率,355 nm激光能有效激活离子注入的硼离子,背照式CCD图像传感器成像均匀性好,紫外量子效率明显提升。
- 钟玉杰雷仁方林珑君李睿智张勇曲鹏程郭培廖乃镘
- 关键词：激光退火电荷耦合器件图像传感器
- 一种光电探测器模块失效的故障分析
- 2023年
- 阐述PIN光电探测器模块在温度循环试验后响应度降低问题。通过建立故障树分析其失效的原因,发现由于耦合用光纤夹具出现倾斜,使得耦合过程中焊料分布不均匀,在温度循环试验热胀冷缩过程中,产生的不对称挤压应力使光纤金属化导管(光纤)发生位移和偏转,致使光斑的一部分偏移出光敏面区域,光能量不能完全被吸收转换,导致PIN模块响应度降低。
- 钟玉杰向柄臣林珑君伍明娟鲁卿郭培曹飞
- 关键词：光电探测器响应度故障树
- 大面阵内线转移CCD二次金属铝刻蚀残留研究被引量：1
- 2017年
- 分析了引起大面阵内线转移CCD直流短路的原因,确认了二次金属铝刻蚀残留是引起器件失效的主要原因。利用扫描电子显微镜技术,研究了刻蚀工艺参数对内线转移CCD二次金属铝刻蚀残留的影响。优化了预刻蚀、主刻蚀和过刻蚀三个阶段的工艺条件,消除了金属铝刻蚀残留。采用优化的工艺参数进行二次金属铝刻蚀,器件直流成品率提高了30%。
- 袁安波李睿智向鹏飞郭培龙飞
- 关键词：CCD反应离子刻蚀
