贾萍
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：吉林师范大学信息技术学院更多>>
- 发文基金：吉林省科技发展计划基金吉林省教育厅科研项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- OLEDs磁效应的理论研究进展
- 2013年
- 文章讨论了OLEDs磁效应的研究进展,总结归纳了OLEDs磁效应的理论模型,分析了这些模型的理论意义.
- 姜文龙吕继峰高永慧由中奇孙继芳路莹侯雪怡王双贾萍
- 关键词：OLEDS磁效应
- 基于3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole(TAZ)制备的薄膜电阻的磁效应
- 2013年
- 讨论了采用热蒸镀方法制备的结构为ITO/β-NPB(55-xnm)/Alq3(45nm)/TAZ(xnm)/LiF(0.5nm)/Al的器件的磁效应。在室温下研究了x分别取0、5、10、15nm时器件的电阻率与磁场之间的变化关系。结果表明,x=0nm时,在10V电压下,电阻率变化率Δρ/ρ随磁场强度的增大而增大;当磁场强度B=110mT时,Δρ/ρ达到最大,仅为8.22%。当x分别取5、10、15nm时,Δρ/ρ为随磁场的增大而减小;在相同磁场强度下,x越大,Δρ/ρ越大;当B=110mT,x=15nm,电压为10V时,Δρ/ρ的数值达到最大,为-16.92%。
- 姜文龙贾萍汪津丁桂英
- 关键词：电流变化率
- 量子阱结构OLED的磁电阻效应
- 制备了四种不同周期数的有机量子阱结构电致发光器件,测量了室温下四种器件的磁效应。发现四种器件的磁电阻率（Δρ/ρ）都随着磁场强度的增强而增大,在相同的磁场强度下,Δρ/ρ随阱结构周期数的增加而变大,一个阱周期的器件在70...
- 丁桂英姜文龙常喜贾萍
- 关键词：量子阱结构磁电阻效应有机电致发光器件
- 文献传递
