侯雪怡
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：吉林师范大学信息技术学院更多>>
- 发文基金：吉林省科技发展计划基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- OLEDs磁效应的理论研究进展
- 2013年
- 文章讨论了OLEDs磁效应的研究进展,总结归纳了OLEDs磁效应的理论模型,分析了这些模型的理论意义.
- 姜文龙吕继峰高永慧由中奇孙继芳路莹侯雪怡王双贾萍
- 关键词：OLEDS磁效应
- MgF_2缓冲层对蓝光OLED性能的影响被引量：2
- 2014年
- 为了提高蓝光有机电致发光器件(OLED)的发光性能,将MgF2缓冲层插入ITO阳极与空穴传输层NPB之间,通过优化MgF2的厚度,制备了结构为ITO/MgF2(x nm)/NPB(50nm)/DPVBi:DSA-ph(30nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.6nm)/Al(100nm)的高性能蓝光器件。实验结果表明,MgF2厚为1.0nm时,器件性能最佳,对应的器件最大电流效率达到5.51cd/A,最大亮度为23 290cd/m2(10.5V),与没有MgF2缓冲层的标准器件相比,分别提高47.3%和25.2%。对ITO表面的功函数测量结果表明,MgF2缓冲层可以有效修饰ITO表面,降低ITO与NPB之间的势垒高度差,改善空穴的注入效率,从而导致电子和空穴的注入更加平衡,激发机制更高效,实现了高性能的蓝光发射,为实现高效而稳定的全彩显示和白光照明奠定了基础。
- 刘春玲侯雪怡孙继芳路莹姜文龙
- 关键词：发光效率蓝光
