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丁桂英

作品数:69 被引量:129H指数:7
供职机构:吉林师范大学更多>>
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相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

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作者

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年份

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  • 9篇2007
  • 10篇2006
  • 3篇2005
  • 2篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇1997
69 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于磷光材料的有机电致白光器件的研究进展被引量:1
2006年
有机电致白光器件是近年来国际上的一个研究热点,它不仅可以作为液晶显示的背光源,也是未来照明技术的有效光源。有机磷光电致发光可以同时利用单重态和三重态的激子,理论上可使器件的内量子效率达到100%,而在近几年倍受关注。文章介绍了磷光材料的有机电致白光器件的研究进展,按多发射层、多重掺杂单发射层、单重掺杂单发射层以及基于激发二聚体和激基复合物发射4种结构进行了分析和阐述。
丁桂英姜文龙王静汪津王立忠韩强王红梅赵晓红
关键词:磷光材料掺杂敏化剂
基于3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole(TAZ)制备的薄膜电阻的磁效应
2013年
讨论了采用热蒸镀方法制备的结构为ITO/β-NPB(55-xnm)/Alq3(45nm)/TAZ(xnm)/LiF(0.5nm)/Al的器件的磁效应。在室温下研究了x分别取0、5、10、15nm时器件的电阻率与磁场之间的变化关系。结果表明,x=0nm时,在10V电压下,电阻率变化率Δρ/ρ随磁场强度的增大而增大;当磁场强度B=110mT时,Δρ/ρ达到最大,仅为8.22%。当x分别取5、10、15nm时,Δρ/ρ为随磁场的增大而减小;在相同磁场强度下,x越大,Δρ/ρ越大;当B=110mT,x=15nm,电压为10V时,Δρ/ρ的数值达到最大,为-16.92%。
姜文龙贾萍汪津丁桂英
关键词:电流变化率
基于N-BDAVBi的高效率双发光层蓝色OLED
2013年
采用蓝色有机荧光染料N-BDAVBi作为客体发光材料,将其分别掺入主体材料ADN和DPVBi中形成双发光层,制备了结构为ITO/m-MTDATA(40nm)/NPB(10nm)/ADN:N-BDAVBi(15nm)/DPVBi:N-BDAVBi(15nm)/TPBi(30nm)/LiF(0.6nm)/Al的高效率蓝色有机荧光器件(OLED)。器件的最大电流效率为8.13cd/A,对应色坐标为(0.178,0.302),电流密度为18.81mA/cm2,分别是ADN:N-BDAVBi和DPVBi:N-BDAVBi作为发光层的单发光层结构器件的2.4和1.8倍。器件性能提高主要源于双发光层结构减弱了载流子在界面处的积累,扩大了激子产生区域以及主体与客体之间有效的能量转移。当驱动电压为14V时,双发光层器件的最大亮度为20 620cd/m2。
汪津王福军张冰王双常喜丁桂英姜文龙
关键词:荧光蓝光
双量子阱OLED正负磁电阻的调控
2012年
通过改变发光层的厚度,制备了一种双量子阱结构的有机电致发光器件(OLEDs),其结构为ITO/2T-NATA(20nm)/NPBX(50nm)/[Alq3:2%C545(dnm)/Alq3(3nm)]2/Alq3(17nm)/LiF(0.9nm)/Al。在常温下研究了器件的发光层在不同厚度(d=10,15,20和25nm)时的磁电阻(MR,magnetoresistance)特性。实验结果表明,在10V驱动电压的作用下,在相同磁场强度下,器件的厚度越大,电阻率也越大;在驱动电压为10V时,随着磁场强度的增加,10nm厚器件的MR随着磁场的增加而增大,表现正MR特性;而15、20和25nm厚3种器件的MR随着磁场强度的增强先减小后增加并趋于饱和状态,发光层越厚,MR减小的幅度越大,且都表现出负MR特性;获得最大的MR为-10.32%。
常喜丁桂英姜文龙
关键词:双量子阱
用高锰酸钾处理ITO玻璃表面改善有机电致白光器件的性能
实验中将 ITO 玻璃衬底用丙酮、乙醇、去离子水反复擦洗,然后将 ITO 基片置于丙酮中超声清洗,再分别用乙醇、去离子水反复超声清洗多次,并在真空干燥箱中烘干,然后把处理清洗好的 ITO 玻璃基片,浸泡到不同浓度的高锰酸...
王静姜文龙王广德王红梅赵晓红王立忠汪津丁桂英
文献传递
以CzHQZn为主体的有机发光器件的发光效率被引量:2
2009年
采用真空热蒸镀技术,分别制备了结构为ITO/2T-NATA(25nm)/CzHQZn(10~25nm)/TPBi(35nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm)/CBP:6%Ir(ppy)3:x%CzHQZn(20nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(30nm)/CBP:6%Ir(ppy)3:10%CzHQZn(xnm)/Alq3((70-x)nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED)。器件中,CzHQZn既有空穴传输特性,又是黄光发射的主体。为了提高其发光效率,利用磷光敏化技术,研究了掺杂层中不同掺杂浓度和掺杂层不同厚度时器件的发光效率。结果表明,器件的效率随着掺杂发光层的厚度和掺杂浓度的变化而改变,当发光层的厚度为18nm时,CzHQZn掺杂浓度为10%的器件性能较好;在10V电压下,器件的最大电流效率达到3.26cd/A,色坐标为(0.4238,0.5064),最大亮度达到17560cd/m2。
姜文龙丁桂英张刚丛林孟昭晖欧阳新华曾和平
锌金属配合物BFHQZn的白色有机电致发光器件被引量:4
2010年
利用新型荧光染料2-溴-4-氟苯乙烯-8-羟基喹啉锌(BFHQZn,(E)-2-(2-bromo-4-fluorostyryl)quinolato-Zinc)的电致发光(EL)特性,制备了非掺杂型的有机电致白光器件(WOLED)。器件的结构为ITO/CuPc(10nm)/NPBX(25 nm)/BFHQZn(18 nm)/NPBX(xnm)/BCP(10 nm)/Alq3((47-x)nm)/LiF(0.5 nm)/Al,当x为12时,得到了色度最好和效率最大的WOLED,最大电流效率为1.11 cd/A(at 10 V),最大的亮度为817 cd/m2(at 15 V),当驱动电压从7 V(启亮)升高到15 V(最高亮度)时,器件色坐标由(0.32,038)改变为(0.30,0.28)。
丁桂英韩强王广德姜文龙欧阳新华曾和平
关键词:发光材料
通过引入电子阻挡层的高效率的有机磷光白光器件被引量:10
2008年
以CBP作为母体材料,绿色磷光染料Ir(ppy)3作为敏化剂,以荧光染料rubrene作为受主,制备了结构为ITO/2T-NATA(25 nm)/NPBX(25-d nm)/CBP:5%Ir(ppy)3:0.5%Rubrene(8 nm)/NPBX(d nm)/DPVBi(30nm)/TPBi(20 nm)/Alq(10 nm)/LiF(1 nm)/Al的白光器件。在器件中,敏化剂Ir(ppy)3、荧光染料rubrene的浓度分别为5.0 wt%和0.5 wt%,发光层的厚度选择8 nm,通过调整两层NPBX的厚度来改善器件的性能,得到了比较理想的白光发射。当d的厚度为10 nm时,器件在7 V的电压下最大电流效率达到11.2 cd/A,在17 V的电压下其最大亮度达到28 170 cd/m2,色坐标为(0.37,0.42),处于白光区。
姜文龙丁桂英汪津王静王立忠常喜韩强王洪梅赵晓红
关键词:电子阻挡层
基于IP网络的媒体点播系统设计被引量:1
2006年
设计了基于IP网络的媒体点播系统,对媒体服务器的主要性能参数进行了测试,分析了在特定环境下影响服务器性能的主要原因,为优化媒体服务器提供了依据。
汪津姜文龙华杰王静丁桂英
关键词:媒体服务器媒体点播性能参数
用硫酸处理ITO表面改善有机发光二极管的发光效率
2008年
用硫酸溶液处理ITO表面制备了有机电致发光器件,发现随着溶液浓度和超声时间的不同,器件的效率也发生变化.当硫酸的浓度是98%且超声时间为10 min时,OLED具有最高的效率及较大的亮度,器件的效率提高了近4倍.通过扫描电镜对ITO表面形貌进行了对比分析,可以看到,经过处理的ITO玻璃表面的粗糙度明显降低,提高了有机膜的附着力,从而改善了器件的效率.
韩强赵晓红丁桂英王静
关键词:OLED硫酸表面处理
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