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王硕

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇导体
  • 1篇电场
  • 1篇电场分布
  • 1篇电离
  • 1篇施主
  • 1篇物理学
  • 1篇击穿电压
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体物理
  • 1篇半导体物理学
  • 1篇SI衬底
  • 1篇SI基
  • 1篇ALGAN
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇GAN
  • 1篇HFET
  • 1篇MOSFET
  • 1篇表面态
  • 1篇材料特性

机构

  • 4篇中山大学

作者

  • 4篇刘扬
  • 4篇张金城
  • 4篇王硕
  • 3篇贺致远
  • 3篇杨帆
  • 3篇姚尧
  • 2篇倪毅强
  • 2篇张佰君
  • 2篇张炜
  • 1篇沈震
  • 1篇周桂林
  • 1篇钟健
  • 1篇郑越

传媒

  • 2篇中国科技论文
  • 2篇第13届全国...

年份

  • 4篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
场板结构对AlGaN/GaN HFET电场分布的影响
2014年
场板结构可以有效抑制横向型HFET器件栅极边缘的电场集边效应,降低尖峰电场峰值,从而大幅提高器件的耐压特性。利用Sentaurus TCAD工具,构建具有场板结构的HFET器件,研究了场板长度和钝化层的厚度对器件沟道电场分布的影响,归纳出场板结构设计的基本规律和一般方法。
王硕张炜姚尧张金城刘扬
关键词：氮化镓场板结构击穿电压
表面态对AlGaN／GaN异质结构2DEG影响的模拟分析
2014年
利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子来源;AlGaN能带分布及2DEG密度随AlGaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变而改变。
杨帆林哲雄张炜张金城王硕贺致远倪毅强刘扬
关键词：半导体物理学
低温AlN插入层对Si基AlGaN/GaN异质结构材料特性的影响研究
GaN材料体系以其禁带宽度大、耐高压、耐高温等优越性能非常适合制作微波放大及功率开关器件,AlGaN/GaN异质结构是其中的代表.在生长GaN外延层的几种可能衬底材料(蓝宝石、SiC、Si和GaN)中,Si衬底有明显的低...
杨帆贺致远倪毅强姚尧王硕张金城吴志盛张佰君刘扬
采用选择区域外延技术制备的常关型Si衬底GaN MOSFET的特性研究
在功率开关应用领域,为了保障失效安全,常关型器件的实现是非常有必要的.本文采用选择区域外延(SAG)技术,即:在金属有机化学气相外延(MOCVD)外延生长形成的半绝缘(SI)GaN/Si基底上,选择性地在接入区生长AlG...
姚尧吴志盛张佰君刘扬贺致远杨帆沈震张金城王硕周桂林钟健郑越
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