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张金城

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇GAN
  • 2篇氮化镓
  • 2篇增强型
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇阈值电压
  • 2篇沟道
  • 2篇MI
  • 2篇MOSFET
  • 1篇导体
  • 1篇等离子增强化...
  • 1篇电场
  • 1篇电场分布
  • 1篇电离
  • 1篇施主
  • 1篇物理学
  • 1篇绝缘栅
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇击穿电压
  • 1篇半导体

机构

  • 7篇中山大学
  • 1篇德岛大学

作者

  • 7篇刘扬
  • 7篇张金城
  • 5篇张佰君
  • 5篇贺致远
  • 4篇杨帆
  • 4篇姚尧
  • 4篇王硕
  • 2篇沈震
  • 2篇倪毅强
  • 2篇周桂林
  • 2篇钟健
  • 2篇郑越
  • 2篇张炜
  • 1篇敖金平

传媒

  • 3篇中国科技论文
  • 2篇第13届全国...

年份

  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
低温AlN插入层对Si基AlGaN/GaN异质结构材料特性的影响研究
GaN材料体系以其禁带宽度大、耐高压、耐高温等优越性能非常适合制作微波放大及功率开关器件,AlGaN/GaN异质结构是其中的代表.在生长GaN外延层的几种可能衬底材料(蓝宝石、SiC、Si和GaN)中,Si衬底有明显的低...
杨帆贺致远倪毅强姚尧王硕张金城吴志盛张佰君刘扬
一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制备方法
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制作方法。本发明的器件包括栅极、源极、漏极、绝缘介质层和衬底，所述衬底上由下往上依次设有应力缓冲层、第一GaN层和选择生长层，所述选择生长层包...
刘扬张金城贺致远张佰君
文献传递
场板结构对AlGaN/GaN HFET电场分布的影响
2014年
场板结构可以有效抑制横向型HFET器件栅极边缘的电场集边效应,降低尖峰电场峰值,从而大幅提高器件的耐压特性。利用Sentaurus TCAD工具,构建具有场板结构的HFET器件,研究了场板长度和钝化层的厚度对器件沟道电场分布的影响,归纳出场板结构设计的基本规律和一般方法。
王硕张炜姚尧张金城刘扬
关键词：氮化镓场板结构击穿电压
增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究
2015年
采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaN MOSFET的绝缘栅电荷特性展开研究。正向电压偏置后,器件的转移特性曲线和高频C-V特性曲线均正向偏移,研究表明:SiO2/GaN之间存在的界面态和靠近SiO2/GaN界面的SiO2内部陷阱是造成SiO2/GaN MOSFET阈值电压不稳定的原因,实验研究结果同时表明氮气1 000℃快速热退火(RTA)对SiO2内部陷阱有改善作用。
周桂林张金城沈震杨帆姚尧钟健郑越张佰君敖金平刘扬
关键词：氮化镓场效应管等离子增强化学气相沉积
表面态对AlGaN／GaN异质结构2DEG影响的模拟分析
2014年
利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子来源;AlGaN能带分布及2DEG密度随AlGaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变而改变。
杨帆林哲雄张炜张金城王硕贺致远倪毅强刘扬
关键词：半导体物理学
一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制备方法
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制作方法。本发明的器件包括栅极、源极、漏极、绝缘介质层和衬底，所述衬底上由下往上依次设有应力缓冲层、第一GaN层和选择生长层，所述选择生长层包...
刘扬张金城贺致远张佰君
文献传递
采用选择区域外延技术制备的常关型Si衬底GaN MOSFET的特性研究
在功率开关应用领域,为了保障失效安全,常关型器件的实现是非常有必要的.本文采用选择区域外延(SAG)技术,即:在金属有机化学气相外延(MOCVD)外延生长形成的半绝缘(SI)GaN/Si基底上,选择性地在接入区生长AlG...
姚尧吴志盛张佰君刘扬贺致远杨帆沈震张金城王硕周桂林钟健郑越
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