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贺致远

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 6篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 9篇GAN
  • 6篇欧姆接触
  • 6篇半导体
  • 6篇SI衬底
  • 6篇衬底
  • 5篇二极管
  • 5篇ALGAN/...
  • 4篇导体
  • 4篇肖特基
  • 4篇肖特基二极管
  • 4篇功率
  • 4篇功率型
  • 4篇半导体材料
  • 4篇场效应
  • 3篇氮化物
  • 3篇氮化物半导体
  • 3篇氮化物半导体...
  • 3篇电极
  • 3篇势垒
  • 3篇迁移率

机构

  • 23篇中山大学

作者

  • 23篇贺致远
  • 21篇刘扬
  • 14篇张佰君
  • 7篇姚尧
  • 6篇倪毅强
  • 6篇李佳林
  • 5篇张金城
  • 3篇王钢
  • 3篇杨帆
  • 3篇王硕
  • 2篇郑越
  • 1篇江灏
  • 1篇沈震
  • 1篇杨帆
  • 1篇文于华
  • 1篇周桂林
  • 1篇何亮
  • 1篇钟健
  • 1篇张炜

传媒

  • 3篇第13届全国...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇中国科技论文
  • 1篇2013年全...

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 7篇2014
  • 3篇2013
  • 4篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种功率型GaN基肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种上下电极结构的功率型GaN基肖特基二极管及其制作方法，通过Si衬底剥离技术，实现半导体外延层衬底转移，先将外延薄膜转移到导电、导热性能好的金属衬底上，然后剥离Si衬底，这样既改善了器件的散热性能，也降低了...
刘扬贺致远李佳林张佰君
一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管，从下到上依次包括低电阻n型Si衬底层、缓冲层、GaN层、AlGaN层以及设置于该AlGaN层之上的栅极，该GaN层和AlGaN层之间形成了异质结二维电子气导电沟道，还...
刘扬李佳林贺致远张佰君王钢
低温AlN插入层对Si基AlGaN/GaN异质结构材料特性的影响研究
GaN材料体系以其禁带宽度大、耐高压、耐高温等优越性能非常适合制作微波放大及功率开关器件,AlGaN/GaN异质结构是其中的代表.在生长GaN外延层的几种可能衬底材料(蓝宝石、SiC、Si和GaN)中,Si衬底有明显的低...
杨帆贺致远倪毅强姚尧王硕张金城吴志盛张佰君刘扬
一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法
本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、成核层、应力缓冲层和氮化物材料层，氮化物材料层包括间隔布设的氮化物半导体材料层和新型基本氮化物复合夹层...
刘扬倪毅强贺致远周德秋张佰君
文献传递
纵向导通的GaN增强型MISFET器件及其制作方法
本发明涉及一种纵向导通的GaN增强型MISFET器件及其制作方法，属于半导体器件领域，本发明器件包括栅极、源极、漏极、绝缘层、导电GaN衬底和其上的外延层，所述外延层包括第一n型轻掺杂GaN层和其上的选择生长层，选择生长...
刘扬贺致远张佰君
一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制备方法
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制作方法。本发明的器件包括栅极、源极、漏极、绝缘介质层和衬底，所述衬底上由下往上依次设有应力缓冲层、第一GaN层和选择生长层，所述选择生长层包...
刘扬张金城贺致远张佰君
文献传递
基于低温AlN缓冲层结构的Si衬底高耐压AlGaN/GaN HFET的外延技术研究
贺致远
一种用于制备GaN异质结场效应晶体管的外延结构及生长方法
本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种用于制备GaN异质结场效应晶体管的外延结构及生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、应力缓冲层、高阻GaN外延层、新型插入层、非掺杂GaN沟道层和异质结势垒层，新型插入层包括...
刘扬贺致远倪毅强周德秋张佰君
文献传递
一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法
本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、衬底上的成核层、成核层上的氮化物半导体材料层，所述氮化物半导体材料层包括在所述氮化物半导体材料层内被...
刘扬周德秋倪毅强贺致远
文献传递
Si衬底上采用低温AlN插入层的GaN外延结构电学性分析
本文研究了以低温AlN插入层(LT-AlN)作为应力缓冲层于Si衬底上外延生长GaN的电学特性。我们采用霍尔效应测试在Si衬底上GaN样品中发现了一种反常的P型现象。这种现象主要是由于外延生长时Al原子扩散进Si衬底中并...
倪毅强刘扬贺致远钟健杨帆姚尧沈震向鹏柳铭岗张佰君
关键词：电学特性
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共3页<123>
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