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倪毅强

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 7篇半导体
  • 6篇势垒
  • 6篇绝缘
  • 6篇绝缘层
  • 5篇氮化物
  • 5篇导体
  • 5篇沟道
  • 4篇氮化物半导体
  • 4篇FET器件
  • 3篇氮化物半导体...
  • 3篇导通
  • 3篇掩膜
  • 3篇开关比
  • 3篇厚膜
  • 3篇半导体材料
  • 2篇氮化
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇阻挡层
  • 2篇耐压
  • 2篇绝缘介质

机构

  • 15篇中山大学

作者

  • 15篇倪毅强
  • 15篇刘扬
  • 6篇张佰君
  • 6篇贺致远
  • 5篇杨帆
  • 5篇姚尧
  • 4篇何亮
  • 2篇杨帆
  • 2篇张金城
  • 2篇王硕
  • 1篇张炜

传媒

  • 1篇中国科技论文
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 6篇2014
  • 1篇2012
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低温AlN插入层对Si基AlGaN/GaN异质结构材料特性的影响研究
GaN材料体系以其禁带宽度大、耐高压、耐高温等优越性能非常适合制作微波放大及功率开关器件,AlGaN/GaN异质结构是其中的代表.在生长GaN外延层的几种可能衬底材料(蓝宝石、SiC、Si和GaN)中,Si衬底有明显的低...
杨帆贺致远倪毅强姚尧王硕张金城吴志盛张佰君刘扬
一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法
本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、成核层、应力缓冲层和氮化物材料层，氮化物材料层包括间隔布设的氮化物半导体材料层和新型基本氮化物复合夹层...
刘扬倪毅强贺致远周德秋张佰君
文献传递
纵向导通的GaN基MISFET 器件及其制作方法
本发明涉及一种纵向导通的GaN基MISFET器件，包括栅极、源极、漏极、绝缘层、导电GaN衬底和形成于导电GaN衬底上的外延层，所述外延层由下往上依次包括第一n型轻掺杂GaN层，二次生长掩膜介质层，非掺杂GaN层和异质结...
刘扬倪毅强张佰君
一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法
本发明涉及一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法，外延层包括一次外延生长的n型轻掺杂GaN层和其上的选择区域生长的二次外延层，所述二次外延层自下至上为第一杂质过滤层、电子阻挡层、第二杂质过滤层、非掺杂外延...
刘扬何亮杨帆姚尧倪毅强
文献传递
一种用于制备GaN异质结场效应晶体管的外延结构及生长方法
本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种用于制备GaN异质结场效应晶体管的外延结构及生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、应力缓冲层、高阻GaN外延层、新型插入层、非掺杂GaN沟道层和异质结势垒层，新型插入层包括...
刘扬贺致远倪毅强周德秋张佰君
文献传递
一种横向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法
本发明涉及一种横向导通的GaN常关型MISFET器件，该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层以及栅极、源极、漏极、绝缘层。所述外延层包括一次外延生长的应力缓冲层及GaN外延层，以及其上的选择区域生长的二次外延层，所述二次外...
刘扬何亮倪毅强姚尧杨帆
文献传递
一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法
本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、衬底上的成核层、成核层上的氮化物半导体材料层，所述氮化物半导体材料层包括在所述氮化物半导体材料层内被...
刘扬周德秋倪毅强贺致远
文献传递
表面态对AlGaN／GaN异质结构2DEG影响的模拟分析
2014年
利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子来源;AlGaN能带分布及2DEG密度随AlGaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变而改变。
杨帆林哲雄张炜张金城王硕贺致远倪毅强刘扬
关键词：半导体物理学
一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法
本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、成核层、应力缓冲层和氮化物材料层，氮化物材料层包括间隔布设的氮化物半导体材料层和基本氮化物复合夹层，氮...
刘扬倪毅强贺致远周德秋张佰君
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纵向导通的GaN基MISFET 器件及其制作方法
本发明涉及一种纵向导通的GaN基MISFET器件，包括栅极、源极、漏极、绝缘层、导电GaN衬底和形成于导电GaN衬底上的外延层，所述外延层由下往上依次包括第一n型轻掺杂GaN层，二次生长掩膜介质层，非掺杂GaN层和异质结...
刘扬倪毅强张佰君
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