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李佳林

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇二极管
  • 4篇肖特基
  • 4篇肖特基二极管
  • 4篇功率
  • 4篇功率型
  • 4篇ALGAN/...
  • 3篇电极
  • 3篇欧姆接触
  • 2篇低电阻
  • 2篇电极结构
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇电阻
  • 2篇通孔
  • 2篇迁移率
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇GAN
  • 2篇场效应
  • 1篇栅宽
  • 1篇偏压

机构

  • 6篇中山大学

作者

  • 6篇李佳林
  • 6篇贺致远
  • 6篇刘扬
  • 5篇张佰君
  • 3篇王钢
  • 1篇江灏
  • 1篇姚尧
  • 1篇文于华

传媒

  • 1篇电力电子技术

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种功率型GaN基肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种上下电极结构的功率型GaN基肖特基二极管及其制作方法，通过Si衬底剥离技术，实现半导体外延层衬底转移，先将外延薄膜转移到导电、导热性能好的金属衬底上，然后剥离Si衬底，这样既改善了器件的散热性能，也降低了...
刘扬贺致远李佳林张佰君
一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管，从下到上依次包括低电阻n型Si衬底层、缓冲层、GaN层、AlGaN层以及设置于该AlGaN层之上的栅极，该GaN层和AlGaN层之间形成了异质结二维电子气导电沟道，还...
刘扬李佳林贺致远张佰君王钢
一种功率型GaN基肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种上下电极结构的功率型GaN基肖特基二极管及其制作方法，通过Si衬底剥离技术，实现半导体外延层衬底转移，先将外延薄膜转移到导电、导热性能好的金属衬底上，然后剥离Si衬底，这样既改善了器件的散热性能，也降低了...
刘扬贺致远李佳林张佰君
文献传递
一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管，从下到上依次包括低电阻n型Si衬底层、缓冲层、GaN层、AlGaN层以及设置于该AlGaN层之上的栅极，该GaN层和AlGaN层之间形成了异质结二维电子气导电沟道，还...
刘扬李佳林贺致远张佰君王钢
文献传递
Si衬底AlGaN／GaN功率开关场效应晶体管研制
2012年
研究了Si衬底AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)器件尺寸参数,包括源(漏)极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响。基于此,在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40 mm的原型AlGaN/GaN HFETs,其输出电流约为20 A,导通电阻为0.4Ω(比导通电阻8.29 mΩ·cm^2)。
姚尧贺致远李佳林刘扬
关键词：场效应晶体管功率开关栅宽
一种复合结构AlGaN/GaN场效应二极管及其制作方法
本发明公开了一种复合结构AlGaN/GaN场效应二极管的制作方法，包括：A、依次在衬底上生长缓冲层、GaN外延层、第一AlGaN层；B、在第一AlGaN层上生成掩蔽膜；C、在未被掩蔽的第一AlGaN层上生长第二AlGaN...
刘扬文于华李佳林贺致远江灏张佰君王钢
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