尹丽晶
- 作品数：20 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程农业科学更多>>
- 电子产品外观的检测方法、装置及终端
- 本发明适用于外观检测技术领域，提供了一种电子产品外观的检测方法、装置及终端。所述电子产品外观的检测方法包括：获取待检测电子产品的外观图像，外观图像中包括待检测电子产品的产品型号和几何形状；基于外观图像和预设的第一预测模型...
- 柳华光张魁黄杰彭浩冉红雷赵海龙尹丽晶张华
- 文献传递
- 军用标准PIND试验方法发展与对比分析被引量：3
- 2019年
- 封装腔体内部的可动粒子会引起半导体器件和电路的短路或间歇性功能失效,从而对其使用可靠性产生影响。粒子碰撞噪声检测(PIND)试验可有效剔除腔体内部含有可动粒子的器件,从而被纳入多项标准中作为一项无损筛选试验并得到广泛的应用。给出了腔体内部可动粒子的危害,详细研究了美国和中国军用标准PIND试验方法的发展历程及现状,对比了3种PIND试验标准不同版本试验参数的变化,分析了标准参数变化产生的影响,给出了筛选批接收的试验流程,对试验人员具有一定指导作用,提高了PIND筛选试验的准确性。
- 席善斌高金环裴选尹丽晶尹丽晶彭浩
- 关键词：振动频率军用标准
- 元器件水溶胶清洗机
- 本发明提供了一种元器件水溶胶清洗机，属于清洗设备技术领域，包括外壳、摇臂架、喷淋装置、风干装置以及动力机构，外壳内设有清洗腔；外壳内设有位于清洗腔一侧的安装槽；清洗腔内设有温度传感器、加热器、水位传感器；摇臂架与安装槽滑...
- 尹丽晶张魁柳华光冉红雷赵海龙安胜彪黄杰
- 微波单片集成电路的失效分析方法探讨被引量：3
- 2017年
- 随着通信、雷达产业的迅速发展,微波单片集成电路的应用越来越广泛,其可靠性和失效分析工作迫切需要开展和加强。本文通过对微波单片集成电路的特点分析,以一款微波单片混频器为对象开展了失效分析研究,通过显微红外热成像的方法,将失效点进行了准确定位。对分析过程和方法做了详细介绍,以期对同类产品开展失效分析提供借鉴作用。
- 席善斌高兆丰裴选尹丽晶尹丽晶黄杰
- MEMS器件可靠性评价标准分析及建议
- 2024年
- 本文研究了MEMS器件的失效模式和失效机理,进行了归纳总结;基于其模式和失效机理,分析了MEMS器件的可靠性试验项目和相关试验标准,总结了可靠性试验现状。最后,针对以上情况对MEMS器件可靠性试验的标准体系建设和完善提出了建议,进行了展望。
- 尹丽晶张魁崔波
- 关键词：MEMS器件可靠性
- LTCC基板装配过程中的开裂失效研究被引量：3
- 2017年
- 针对LTCC基板在装配过程中产生的开裂现象,进行了故障定位。通过陶瓷层间结合力分析与ANSYS热力学仿真分析,认为大面积地金层厚度过厚和隔筋材料与基板材料的热膨胀系数不匹配是导致LTCC基板开裂失效的根本原因。根据分析结果,提出了改进措施。
- 赵海龙尹丽晶彭浩任赞
- 关键词：LTCC基板开裂
- 三维集成器件焊接可靠性试验方法及监测系统
- 本发明提供了一种三维集成器件焊接可靠性试验方法，属于电子元器件技术领域，包括以下步骤：确定植球应力敏感区域；获取第一菊花链；获取第二菊花链；获取第三菊花链；通过万用表分别测量第一菊花链、第二菊花链、第三菊花链的电阻值；将...
- 冉红雷张魁黄杰彭浩盛晓杰柳华光赵海龙尹丽晶
- 文献传递
- 配置不同类型探测器的X射线荧光测厚仪对比研究
- 2020年
- X射线荧光测厚法是对电子元器件金属镀层厚度进行测量的主要方法之一。本文对X射线荧光测厚仪的工作原理、结构进行了分析,对其核心组成部分探测器的三种类型的性能参数进行了对比,并选取相应型号的测厚仪进行了对比测试,对测量结果进行了分析。
- 尹丽晶武利会陈美静
- 关键词：探测器
- 一种测量报告生成系统
- 本发明适用于数据测量技术领域，提供了一种测量报告生成系统，包括：检索模块、语音模块、测量模块和报告生成模块；检索模块用于根据待测产品的标识信息生成测量参数，并向测量模块和报告生成模块发送测量参数；测量模块用于根据测量参数...
- 柳华光武利会张魁黄杰彭浩冉红雷赵海龙尹丽晶
- 文献传递
- SiN钝化层对GaN HEMT辐射效应的影响被引量：1
- 2019年
- GaN HEMT具有的大功率、高频率特性使其在空间应用中具有广阔的前景,GaN HEMT的空间辐射效应也引起了人们的广泛关注。然而GaN HEMT器件并没有完全体现出其材料优越的抗辐射能力,研究认为器件结构和制造工艺是导致器件和材料间抗辐射能力差距的主要原因之一。半导体制造工艺中通常采用钝化层进行隔离、保护以及调整反射率等来近一步提升器件性能,本文分析了钝化层对二维电子气(2DEG)和AlGaN/GaN异质结表面势垒高度的影响,讨论了不同钝化层结构GaN HEMT的辐射响应及退化机理,认为钝化层可有效改善GaN HEMT的抗辐射能力。
- 席善斌裴选迟雷迟雷尹丽晶彭浩黄杰
- 关键词：钝化层二维电子气可靠性
