裴选
- 作品数：24 被引量：24H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学更多>>
- 不同温度下GaN基HEMT器件氢效应试验研究
- 2021年
- 该文开展不同温度下GaN基HEMT器件氢气效应的试验研究。通过对比不同氢浓度和不同温度条件下器件变化情况,试验发现常温下不同浓度氢气处理对器件电学特性无显著影响。氢气环境对GaN基HEMT器件栅电流影响似乎存在一个75℃~160℃温度区间内阈值温度,在该温度以下栅电流减小,即绝对值增大,在该温度以上则反之,栅反向电流绝对值减小。160℃下高温对比试验发现,氢效应能够削弱该效应,即抑制栅反向电流绝对值的减小。
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- 关键词：GAN基HEMT温度
- 半导体器件 机械和气候试验方法 第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的)
- 本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。本文件用于确定器件是否由于外部发热造成燃烧。本试验使用针焰，模拟内部装有元器件的设备在故障条件下可能引起的小火焰的影响。
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- 氢效应试验箱和系统
- 本发明适用于电子元器件可靠性评价技术领域，提供了一种氢效应试验箱和系统。该系统包括：供电模块、氢浓度控制模块、控温模块、抽真空模块、参数测试模块和氢效应试验箱；其中，抽真空模块将氢效应试验箱内部设置为真空状态，以使氢浓度...
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- 文献传递
- 微波单片集成电路的失效分析方法探讨被引量：3
- 2017年
- 随着通信、雷达产业的迅速发展,微波单片集成电路的应用越来越广泛,其可靠性和失效分析工作迫切需要开展和加强。本文通过对微波单片集成电路的特点分析,以一款微波单片混频器为对象开展了失效分析研究,通过显微红外热成像的方法,将失效点进行了准确定位。对分析过程和方法做了详细介绍,以期对同类产品开展失效分析提供借鉴作用。
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- 多模计数器静电放电损伤的失效分析被引量：2
- 2017年
- 静电放电(ESD)损伤会降低半导体器件和集成电路的可靠性并导致其性能退化。针对一款国产2-32型多模计数器的失效现象,通过分析该计数器的电路结构,利用X射线成像、显微红外热成像、光束感生电阻变化以及钝化层、金属化层去除等技术对计数器进行了失效分析,将失效点准确定位至输出端口逻辑单元电路的2只晶体管上。分析结果表明,多模计数器的ESD损伤使输出端口驱动晶体管以及为负载晶体管提供栅偏置的前级电路晶体管同时受损,导致计数器端口高、低电平输出均失效而丧失计数功能。对相关的失效机理展开了讨论,同时提出了在电路研制和使用过程中的ESD防护措施。
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- 半导体器件 机械和气候试验方法 第42部分:温湿度贮存
- 本文件描述了评价半导体器件耐高温高湿环境能力的试验方法。本文件适用于评价塑封半导体器件和其他类型封装半导体器件的芯片金属化互连耐腐蚀能力。也可作为由于湿气通过钝化层渗透而导致漏电的加速方法，以及多种试验前的预处理方法。
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- SiN钝化层对GaN HEMT辐射效应的影响被引量：1
- 2019年
- GaN HEMT具有的大功率、高频率特性使其在空间应用中具有广阔的前景,GaN HEMT的空间辐射效应也引起了人们的广泛关注。然而GaN HEMT器件并没有完全体现出其材料优越的抗辐射能力,研究认为器件结构和制造工艺是导致器件和材料间抗辐射能力差距的主要原因之一。半导体制造工艺中通常采用钝化层进行隔离、保护以及调整反射率等来近一步提升器件性能,本文分析了钝化层对二维电子气(2DEG)和AlGaN/GaN异质结表面势垒高度的影响,讨论了不同钝化层结构GaN HEMT的辐射响应及退化机理,认为钝化层可有效改善GaN HEMT的抗辐射能力。
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- 关键词：钝化层二维电子气可靠性
- 军用标准PIND试验方法发展与对比分析被引量：3
- 2019年
- 封装腔体内部的可动粒子会引起半导体器件和电路的短路或间歇性功能失效,从而对其使用可靠性产生影响。粒子碰撞噪声检测(PIND)试验可有效剔除腔体内部含有可动粒子的器件,从而被纳入多项标准中作为一项无损筛选试验并得到广泛的应用。给出了腔体内部可动粒子的危害,详细研究了美国和中国军用标准PIND试验方法的发展历程及现状,对比了3种PIND试验标准不同版本试验参数的变化,分析了标准参数变化产生的影响,给出了筛选批接收的试验流程,对试验人员具有一定指导作用,提高了PIND筛选试验的准确性。
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- 关键词：振动频率军用标准
- 基于工艺的GaN HEMT抗辐射加固研究进展被引量：2
- 2019年
- GaN HEMT由于其具有高频、高温、大功率、抗辐射等特性,在卫星、太空探测、核反应堆等辐射环境中具有广阔的应用前景。虽然GaN HEMT较Si基半导体器件具有优越的抗辐射特性,但距GaN材料本身的抗辐射能力和水平仍存在较大差距,GaN HEMT制造工艺是导致这一差距产生的主要原因。通过调研、分析近几年国际报道的GaN HEMT制造工艺对辐射效应的影响,分别从有源区隔离工艺、GaN沟道层厚度、钝化层结构和衬底材料四个方面作出对比,分析可能的原因,给出一种加固工艺优选方法,以期对我国抗辐射加固GaN HEMT研制提供借鉴和指导。
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- 关键词：GAN抗辐射加固衬底材料
- PIN限幅器高功率微波损伤效应及失效分析
- 2016年
- 以国产PIN限幅器为研究对象，分析了器件的工艺结构，开展了高功率微波注入效应研究，并对失效器件进行了失效分析。试验结果表明高功率微波注入会导致器件插入损耗超差而失效，限幅器输入端电容击穿短路丧失保护作用，PIN二极管结受损严重表现为低阻导通状态。借助多种失效分析手段获得了器件的烧毁形貌，认为器件发生烧毁的薄弱环节位于i层与n＋层的界面处，对潜在的失效机理进行了分析，并对工艺改进提出了相关建议。
- 席善斌裴选高金环高兆丰黄杰
- 关键词：高功率微波PIN二极管FIB
