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文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇探测器
  • 3篇光敏
  • 3篇红外
  • 3篇半导体
  • 2篇芯片
  • 2篇光电
  • 2篇光敏面
  • 2篇半导体光电
  • 2篇INSB
  • 1篇导体
  • 1篇电器件
  • 1篇电阻率
  • 1篇短波
  • 1篇钝化层
  • 1篇多光谱
  • 1篇应力
  • 1篇正交
  • 1篇正交试验
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇数据传输

机构

  • 6篇中国航空工业...

作者

  • 6篇沈祥伟
  • 4篇吕衍秋
  • 3篇姚官生
  • 3篇曹先存
  • 3篇张小雷
  • 3篇张亮
  • 2篇张磊
  • 2篇丁嘉欣
  • 2篇鲁正雄
  • 2篇张向锋
  • 2篇彭震宇
  • 1篇王锦春
  • 1篇何英杰
  • 1篇张国栋
  • 1篇李龙
  • 1篇朱旭波
  • 1篇刘炜
  • 1篇刘炜
  • 1篇王理文

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2019
  • 5篇2014
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
InSb红外焦平面阵列探测器湿法刻蚀
2014年
随着大规模InSb红外焦平面(FPA)器件的发展,探测器制备的传统湿法刻蚀工艺已越来越难以满足新工艺要求。介绍了一种用于制备InSb红外焦平面探测器的新湿法刻蚀工艺:使用适当比例的柠檬酸/H2O2系刻蚀剂代替现有乳酸/硝酸系刻蚀剂,同时采用N2气泡搅拌刻蚀装置来辅助刻蚀。通过实验对比分析表明,新刻蚀工艺可以很好地解决原湿法刻蚀横向刻蚀和下切效应,提高了刻蚀均匀性和平整度,减小了表面粗糙度,并明显降低了InSb器件的漏电流,提高了电性能。
沈祥伟吕衍秋刘炜曹先存何英杰
关键词:湿法刻蚀
一种改善阵列芯片串音的方法
本发明属于半导体光电器件技术,涉及一种改善红外焦平面阵列芯片串音的方法。本发明改善阵列芯片串音的方法是:在InSb晶体上掺杂结深为1.3um~1.5um的Cd材料;采用光刻胶进行光刻,化学腐蚀得到待注入的区域的晶体沟道表...
刘炜彭震宇张国栋沈祥伟
半导体薄膜材料低温电阻率测试设备
本发明属于半导体材料测试技术,涉及一种半导体薄膜材料低温电阻率测试设备,其包括基座、测温二极管、支架、管套、密封胶圈、密封接头、数据传输线、保护管以及A/D转换器、计算机系统和恒流源。其中,整个基座包括样品被固定在支架内...
曹先存彭震宇吕衍秋姚官生张亮沈祥伟王理文李龙
一种三色探测器
本发明三色探测器属于多光谱探测器技术,涉及对现有紫外/红外双色和短波红外/中波红外双波段探测器的进一步改进和开拓。本发明三色探测器包括一个宝石窗口[1]、窗口支架[2]、紫外光敏芯片[3]、短波红外光敏芯片[4]、中波红...
吕衍秋张向锋丁嘉欣姚官生张小雷沈祥伟张磊张亮鲁正雄
一种紫外/红外双色探测器及其制造方法
本发明属于半导体光电探测器制造技术,特别涉及一种CdS/InSb双色探测器的结构及其制造方法。所述紫外/红外双色探测器包括InSb电极[1]、InSb探测器[5]、钝化层[4]、CdS光敏薄膜[2]和CdS电极[3],其...
姚官生吕衍秋张向锋张小雷张亮曹先存张磊沈祥伟丁嘉欣王锦春鲁正雄
InSb红外探测器芯片粘接工艺研究被引量:4
2019年
基于InSb红外探测器的封装特点,采用正交试验法研究了芯片粘接过程中基板平整度、粘接剂抽真空时间、配胶时间、固化条件等工艺参数对芯片性能及可靠性的影响。通过计算极差和方差分析了各因素对芯片可靠性的影响大小。结果表明,固化条件对粘接后芯片的性能影响最大,其次是配胶时间,而抽真空时间和基板平整度影响相对较小。针对极差分析得出的较优参数组合和较差参数组合,利用X射线衍射(XRD)研究了不同参数组合对晶片粘接的应力大小,所得结果与正交试验一致。
沈祥伟朱旭波张小雷张力学李春强高创特
关键词:芯片粘接正交试验XRD应力
共1页<1>
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