曹先存
- 作品数：14 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目中国航空科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 分子束外延InAlSb红外探测器光电性能的温度效应
- 2017年
- 采用分子束外延生长方法在In Sb(100)衬底上生长p^+-p^+-n-n^+势垒型结构的In_(1-x)Al_xSb外延层。运用X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分进行测试和表征,In Al Sb外延层的半峰宽为0.05°,表明外延材料的单晶性能良好,并通过布拉格方程和维戈定律计算出Al组分为2.5%。然后将外延材料制备成多元红外探测并测得77~210 K下的光谱响应曲线,实验发现探测器的截止波长从77 K时的4.48μm增加至210 K时的4.95μm。通过数据拟合得出In_(0.975)Al_(0.025)Sb禁带宽度的Varshni关系式以及其参数E_g(0)、α和β的值分别为0.238 6 e V,2.87×10^(-4 )e V/K,166.9 K。经I-V测试发现,在110 K,-0.1 V偏压下,器件的暗电流密度低至1.09×10^(-5 )A/cm^(-2),阻抗为1.40×10~4Ωcm^2,相当于77 K下In Sb探测器的性能。同时分析了温度对器件不同类型的暗电流的影响程度,并得到器件的扩散电流与产生-复合电流的转变温度约为120 K。
- 陈刚李墨吕衍秋朱旭波朱旭波
- 关键词：分子束外延光电特性红外探测器
- InAlSb红外光电二极管性能研究被引量：1
- 2017年
- 在InSb衬底上利用分子束外延生长了p-i-n结构的InAlSb/InSb材料,通过在吸收层和接触层之间生长宽禁带的InAlSb势垒层,验证了势垒层对耗尽层中暗电流的抑制作用。分别基于外延生长的InAlSb材料和InSb体材料,借助标准工艺制备出二极管,并对其电性能进行测量分析,研究发现:77K温度时,在-0.1V的外偏电压下,p+-p+-n--n+结构和p+-n--n+结构InAlSb器件的反偏电流分别为3.4×10^(-6)A·cm^(-2)和7.8×10^(-6)A·cm^(-2)。基于p+-p+-n--n+结构研制的InAlSb二极管的暗电流保持在一个很低的水平,这为提高红外探测器的工作温度提供了重要基础。
- 朱旭波李墨陈刚张利学曹先存吕衍秋
- 关键词：INSB钝化红外探测器
- 一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片
- 本发明涉及一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片，属于半导体光电探测器制造技术领域。本发明的InAlSb芯片的制备方法包括以下步骤：1)在InAlSb基底上制备掩膜层，在掩膜层上光刻掩膜图形，得图形基底；2)采...
- 陶飞何英杰张向锋李墨彭震宇丁嘉欣姚官生张亮曹先存吕衍秋朱旭波张利学
- 文献传递
- 一种叠层双色红外焦平面探测器及其制备方法
- 本发明涉及一种叠层双色红外焦平面探测器及其制备方法，属于半导体光电子器件技术领域。本发明将分布布拉格反射镜结构引入叠层InAs/GaSb双色超晶格结构光敏芯片中，分别对叠层双色光敏吸收区未完全吸收的红外光进行反射，使之重...
- 司俊杰曹先存鲁正雄张利学侯治锦吕衍秋
- 文献传递
- 一种红外探测器
- 本发明涉及一种红外探测器。红外探测器包括基体以及短波红外光敏芯片、中波红外光敏芯片、芯片支架，中波红外光敏芯片设置于基体上，短波红外光敏芯片通过芯片支架设置于中波红外光敏芯片的上方，且短波红外光敏芯片的感光区域与中波红外...
- 陶飞吕衍秋张向峰何英杰丁佳欣姚官生曹先存李墨张亮朱旭波
- 文献传递
- 一种红外探测器
- 本发明涉及一种红外探测器。红外探测器包括基体以及短波红外光敏芯片、中波红外光敏芯片、芯片支架，中波红外光敏芯片设置于基体上，短波红外光敏芯片通过芯片支架设置于中波红外光敏芯片的上方，且短波红外光敏芯片的感光区域与中波红外...
- 陶飞吕衍秋张向峰何英杰丁佳欣姚官生曹先存李墨张亮朱旭波
- 文献传递
- InSb红外焦平面阵列探测器湿法刻蚀
- 2014年
- 随着大规模InSb红外焦平面(FPA)器件的发展,探测器制备的传统湿法刻蚀工艺已越来越难以满足新工艺要求。介绍了一种用于制备InSb红外焦平面探测器的新湿法刻蚀工艺:使用适当比例的柠檬酸/H2O2系刻蚀剂代替现有乳酸/硝酸系刻蚀剂,同时采用N2气泡搅拌刻蚀装置来辅助刻蚀。通过实验对比分析表明,新刻蚀工艺可以很好地解决原湿法刻蚀横向刻蚀和下切效应,提高了刻蚀均匀性和平整度,减小了表面粗糙度,并明显降低了InSb器件的漏电流,提高了电性能。
- 沈祥伟吕衍秋刘炜曹先存何英杰
- 关键词：湿法刻蚀
- 一种紫外/红外双色探测器及其制造方法
- 本发明属于半导体光电探测器制造技术，特别涉及一种CdS/InSb双色探测器的结构及其制造方法。所述紫外/红外双色探测器包括InSb电极[1]、InSb探测器[5]、钝化层[4]、CdS光敏薄膜[2]和CdS电极[3]，其...
- 姚官生吕衍秋张向锋张小雷张亮曹先存张磊沈祥伟丁嘉欣王锦春鲁正雄
- 半导体薄膜材料低温电阻率测试设备
- 本发明属于半导体材料测试技术，涉及一种半导体薄膜材料低温电阻率测试设备，其包括基座、测温二极管、支架、管套、密封胶圈、密封接头、数据传输线、保护管以及A/D转换器、计算机系统和恒流源。其中，整个基座包括样品被固定在支架内...
- 曹先存彭震宇吕衍秋姚官生张亮沈祥伟王理文李龙
- 分子束外延生长InAsSb材料的组分控制（英文）
- 2016年
- 采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比As原子,Sb原子更易并入晶格中.利用该特性可较好实现InAsSb材料的组分控制.
- 孙庆灵王禄姚官生曹先存王文奇孙令王文新贾海强陈弘
