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蒋利群

作品数:3 被引量:23H指数:2
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇单光子
  • 1篇动态范围
  • 1篇雪崩
  • 1篇阵列探测器
  • 1篇三维成像
  • 1篇探测器
  • 1篇相控阵
  • 1篇密集波分
  • 1篇密集波分复用
  • 1篇面阵
  • 1篇焦平面
  • 1篇焦平面阵列
  • 1篇光纤
  • 1篇光子
  • 1篇复用
  • 1篇盖革模式
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇波分
  • 1篇波分复用
  • 1篇成像

机构

  • 3篇重庆光电技术...

作者

  • 3篇蒋利群
  • 2篇高新江
  • 2篇张秀川
  • 1篇陈红兵
  • 1篇刘必晨
  • 1篇唐遵烈
  • 1篇奚水清
  • 1篇卢杰
  • 1篇陈伟
  • 1篇兰才伦
  • 1篇姚科明
  • 1篇陈扬
  • 1篇兰逸君

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇中国新通信

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2015
  • 1篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于高精度光纤长度测试建立的高效DWDM光纤配相方法被引量:2
2021年
分析了OFDR的工作原理,开发出其对DWDM器件通道光纤长度测量的方法。采用光纤长度高精度控制的方法进行光纤配相。验证了该方法的正确性和高效性。并推荐进行了一定规模的应用。
郑学杰陈俊宇兰才伦蒋利群刘必晨
关键词:相控阵密集波分复用
320×256 InGaAs短波红外焦平面阵列探测器被引量:8
2009年
研制了320×256InGaAs焦平面阵列(FPA)探测器,它由InGaAs光电二极管阵列(PDA)与SiCMOS集成读出电路(ROIC)通过In凸点倒焊技术混合集成。背照射工作方式下其响应光谱范围为0.9~1.7μm。为实现InGaAsPDA与所设计的可调积分电容跨阻抗反馈放大器接口电路良好匹配,分析讨论了InGaAs光电二极管响应度、暗电流、结电容等光电特性对表征InGaAsFPA的主要性能指标的影响,优化了InGaAs光电二极管单元结构设计。采用优化结果研制的320×256InGaAsFPA,在室温下的峰值探测率达到6×10^12cm·Hz1/2·W^-1,动态范围达到68dB。
高新江张秀川唐遵烈陈扬蒋利群陈红兵
关键词:动态范围
InGaAs/InP盖革模式雪崩焦平面阵列的研制被引量:13
2015年
设计制作了一种由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的8×8阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模式下工作具有单光子探测灵敏度;时间计数型CMOS读出电路在每个单元获取光子飞行时间,实现纳秒级的时间分辨率,并完成雪崩淬灭功能。测试结果表明,倒装混合集成的GM APD FPA器件暗计数率(DCR)均值为32.5kHz,单光子探测效率(PDE)均值为19.5%,单元时间抖动为465ps,实现了光脉冲时间信息的探测,验证了盖革模式雪崩焦平面阵列技术及其在三维成像中应用的可行性。
张秀川蒋利群高新江陈伟奚水清姚科明兰逸君卢杰
关键词:三维成像单光子盖革模式焦平面阵列
共1页<1>
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