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文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇电路
  • 3篇半导体
  • 2篇电阻损耗
  • 2篇损耗
  • 2篇趋肤效应
  • 2篇螺旋电感
  • 2篇介质层
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  • 2篇半导体集成
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  • 1篇电荷泵
  • 1篇电压跟随器
  • 1篇电源产生电路
  • 1篇运算放大器
  • 1篇转换器
  • 1篇控制信号
  • 1篇跟随器
  • 1篇工艺技术
  • 1篇宏模型

机构

  • 5篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇重庆中科渝芯...

作者

  • 5篇韩卫敏
  • 3篇杨永晖
  • 2篇谭开洲
  • 2篇崔伟
  • 2篇张静
  • 2篇陈俊
  • 1篇张俊安
  • 1篇钟怡
  • 1篇黄磊

传媒

  • 2篇微电子学

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
半导体集成电路螺旋电感
本发明提供一种半导体集成电路螺旋电感,包括衬底、多层介质层和金属布线层,其中衬底上形成有多层介质层,且每层介质层上都形成有金属布线层,针对每层介质层,介质层上开设有螺旋状的通槽,在通槽内填充有钨金属,以在介质层中形成钨金...
谭开洲崔伟杨永晖朱坤峰张霞黄东钱呈梁柳洪汪璐张静陈俊韩卫敏吴雪刘娇
文献传递
A/D与D/A转换器主流工艺技术现状和发展趋势被引量:3
2008年
随着半导体技术的进步,对A/D、D/A转换器的性能提出了更高的要求,用于制作A/ D、D/A转换器的工艺技术也在不断改进。文章介绍了目前用于制作A/D、D/A转换器的主流工艺技术;结合相关产品,对比分析了各种工艺的优缺点,并对A/D、D/A转换器工艺技术的发展趋势进行了展望。
韩卫敏杨永晖
关键词:A/D转换器D/A转换器半导体工艺CMOSBICMOS
时间交织电荷泵内电源产生电路
本发明提供了一种时间交织电荷泵内电源产生电路,所述时间交织电荷泵内电源产生电路包括第一控制信号产生模块、第二控制信号产生模块、时间交织电荷泵模块及电压跟随器模块。本发明的时间交织电荷泵内电源产生电路,通过时间交织电荷泵模...
钟怡杨法明黄磊王磊韩卫敏裴颖梁康弟李新星张俊安
半导体集成电路螺旋电感
本发明提供一种半导体集成电路螺旋电感,包括衬底、多层介质层和金属布线层,其中衬底上形成有多层介质层,且每层介质层上都形成有金属布线层,针对每层介质层,介质层上开设有螺旋状的通槽,在通槽内填充有钨金属,以在介质层中形成钨金...
谭开洲崔伟杨永晖朱坤峰张霞黄东钱呈梁柳洪汪璐张静陈俊韩卫敏吴雪刘娇
一种环形栅LDMOS器件的宏模型
2023年
提出了一种适用于环形栅LDMOS器件的子电路宏模型。基于对环形栅LDMOS器件结构的分析,将环形栅LDMOS器件分为两个部分,一个是中间的条形栅MOS部分,使用常规的高压MOS模型;另一个是端头部分,为一个圆环形栅极MOS器件,采用了一个单独的模型。基于40 V BCD工艺的N沟道LDMOS器件进行模型提取与验证。结果表明,建立的宏模型具有较强的几何尺寸缩放功能,对于不同尺寸的器件都具有较高的拟合精度,并且模型能够兼容当前主要的商用电路仿真器Hspice和Spectre。
韩卫敏刘娇王磊洪敏朱坤峰张广胜
关键词:LDMOS宏模型BCD工艺
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