陈俊
- 作品数：12 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 轨到轨输入级电路及运算放大器
- 本发明提供一种轨到轨输入级电路及运算放大器，所述轨到轨输入级电路包括输入差分对模块、尾电流源模块、共栅模块、共栅负载模块、电流镜模块及偏置电流源模块，输入差分对模块利用MOS管自身的体效应实现轨到轨输入。在本发明中，通过...
- 杨永晖朱坤峰杨法明刘玉奎黄文海黄东钱呈张金龙王鹏飞陈俊
- 一种MEMS拱形结构的制造方法
- 本发明公开了一种MEMS拱形结构的制造方法，通过运用牺牲层技术、选择性化学机械抛光以及镀膜技术，制作出一种新颖的MEMS拱形结构。本发明制作的拱形结构能实现微米级结构，工艺简单、制作效率高；由于采用低温工艺，避免了高温退...
- 陈俊杨增涛吴建黄磊徐俊
- 文献传递
- 埋氧层厚度对SOI片形变影响的研究
- 探讨了埋氧层厚度对SOI片的形变影响。随着埋氧层厚度值的增大，其形变也相应变大，经过抛光工序后缓解了SOI片残余应力，减小了SOI片的形变，埋氧层厚度偏厚的SOI片，其warp值仍然偏大，顶层硅均匀性更差。为控制SOI片...
- 陈俊冯建吴建王大平
- 关键词：厚度控制
- 多晶硅平坦技术研究
- 介绍了在原有多晶硅平坦技术之上，采用新工艺利用现有的外延、精密减薄工艺，增加了两道工艺流程设置，使得多晶硅平坦化后，多晶硅表面平整度提高，同时为后工艺加工提供了有利保障。
- 冯建王大平吴建陈俊徐俊
- 关键词：集成电路多晶硅
- 轨到轨输入级电路及运算放大器
- 本发明提供一种轨到轨输入级电路及运算放大器，所述轨到轨输入级电路包括输入差分对模块、尾电流源模块、共栅模块、共栅负载模块、电流镜模块及偏置电流源模块，输入差分对模块利用MOS管自身的体效应实现轨到轨输入。在本发明中，通过...
- 杨永晖朱坤峰杨法明刘玉奎黄文海黄东钱呈张金龙王鹏飞陈俊
- 文献传递
- 多晶硅发射极工艺技术研究
- 通过对多晶硅发射极工艺的研究，优化多晶硅淀积工艺，界面氧化层控制在3nm左右，穿透电阻降低到2.5Ω/口，有效提高了发射效率，实现多晶硅发射极工艺稳定，多晶硅发射极工艺制作的NPN管单管频率提高到4GHz，满足高速运算放...
- 黄磊税国华陈俊肖可
- 关键词：集成电路多晶硅
- 混合晶向硅衬底的制造方法
- 本发明涉及一种混合晶向硅衬底的制造方法。采用常规的硅硅晶片键合、光刻、腐蚀、常规外延、化学机械抛光和减薄工艺，就能制成混合晶向的硅衬底。只需使用一块掩膜版，无需淀积SiO<Sub>2</Sub>做为掩蔽层，不需做SPAC...
- 崔伟谭开州张静徐世六张正璠杨永晖陈光炳徐学良王斌陈俊梁涛
- 文献传递
- 低温度系数的CrSi薄膜电阻的制备工艺被引量：5
- 2017年
- 采用磁控溅射法制备低温度系数CrSi薄膜电阻,研究了制备过程中溅射条件对CrSi薄膜电阻温度系数的影响,包括溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量。这些条件通过改变CrSi薄膜这种不连续金属薄膜中的晶粒大小和晶粒间距,进而影响CrSi薄膜电阻的电阻率。通过优化溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量,得到合适的晶粒大小和晶粒间距,从而得到电阻温度系数为-3.88×10-6/℃的CrSi薄膜,为CrSi薄膜电阻的集成应用提供了工艺基础。
- 王飞陈俊王学毅常小宇冉明杨永晖杨伟
- 关键词：磁控溅射温度系数电阻率
- 半导体集成电路螺旋电感
- 本发明提供一种半导体集成电路螺旋电感，包括衬底、多层介质层和金属布线层，其中衬底上形成有多层介质层，且每层介质层上都形成有金属布线层，针对每层介质层，介质层上开设有螺旋状的通槽，在通槽内填充有钨金属，以在介质层中形成钨金...
- 谭开洲崔伟杨永晖朱坤峰张霞黄东钱呈梁柳洪汪璐张静陈俊韩卫敏吴雪刘娇
- 文献传递
- 键合SOI材料应力的控制技术被引量：2
- 2017年
- 在基于绝缘体上硅(SOI)材料的IC器件及MEMS器件研发过程中,薄膜应力引起的晶圆变形、膜层脱落等工艺问题,制约了其研发进度和器件性能。对键合SOI材料整体残余应力展开研究,推出埋氧层、背面氧化层、衬底厚度与SOI整体残余应力的关系,并采用翘曲度值表征由残余应力引起的SOI形变的大小,弯曲度的正负表征SOI形变的方向。针对IC和MEMS产品在开发过程中因残余应力过大而引起的光刻无法吸片、牺牲层释放不干净等问题,通过工艺优化,制备出与残余应力方向相反、应力大小适中的SOI片,从而抵消了部分残余应力,翘曲度由200μm以上下降到100μm以内,有效解决了工艺异常问题。
- 陈俊王学毅谭琦杜金生吴建
- 关键词：翘曲度压应力
