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户秋瑾

作品数：1 被引量：9H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇应变SI

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇舒斌
  • 1篇宋建军
  • 1篇张鹤鸣
  • 1篇户秋瑾
  • 1篇任冬玲

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
延续摩尔定律的新材料——应变Si被引量：9
2007年
介绍了应变Si材料的需求背景和必要性。阐述了在MOS器件中使用衬底致双轴应变后器件性能的改善,在总结了与工艺致单轴应变相比衬底致双轴应变的不足以及工艺致单轴应变的优势之后,讲述了基于SiGe源漏和基于双应力线的两种工艺致单轴应变技术及其对MOS器件性能的提高。简单介绍了国际上近年来对应变Si材料与器件的研究发展状况和应变Si技术达到的各种水平,以及国内对应变Si的研究状况,并对应变Si技术的使用优势和应用前景做了简单分析。
任冬玲张鹤鸣舒斌户秋瑾宋建军
关键词：应变SI
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