任冬玲
- 作品数：3 被引量：9H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院更多>>
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- p^+多晶Si_(1-x)Ge_x功函数对异质结CMOS器件电学特性影响的模拟研究
- 2008年
- 为使垂直层叠SiGe/Si异质结CMOS器件具有匹配的阈值电压,利用二维器件模拟器MEDICI模拟分析了p+多晶Si1-xGex栅的功函数对此类器件直流与交流特性参数的影响,得出在P+多晶Si1-xGex功函数W=0.85eV,即Ge组分x=0.36时,此类器件的p-MOSFET与n-MOSFET具有匹配的阈值电压,分别为VTp=-0.215V和VTn=0.205V。为此类器件的优化设计和制备提供了理论依据。
- 舒斌张鹤鸣王伟宣荣喜宋建军任冬玲吴铁峰张永杰
- 关键词：功函数
- 延续摩尔定律的新材料——应变Si被引量：9
- 2007年
- 介绍了应变Si材料的需求背景和必要性。阐述了在MOS器件中使用衬底致双轴应变后器件性能的改善,在总结了与工艺致单轴应变相比衬底致双轴应变的不足以及工艺致单轴应变的优势之后,讲述了基于SiGe源漏和基于双应力线的两种工艺致单轴应变技术及其对MOS器件性能的提高。简单介绍了国际上近年来对应变Si材料与器件的研究发展状况和应变Si技术达到的各种水平,以及国内对应变Si的研究状况,并对应变Si技术的使用优势和应用前景做了简单分析。
- 任冬玲张鹤鸣舒斌户秋瑾宋建军
- 关键词：应变SI
- 基于应变Si/SiGe的CMOS电特性模拟研究被引量：2
- 2007年
- 提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多晶SiGe栅电极。分析了该结构的电学特性与器件的几何结构参数和材料物理参数的关系,而且还给出了这种器件结构作为反相器的一个应用,模拟了其传输特性。结果表明所设计的垂直层叠共栅结构应变Si/SiGe HCMOS结构合理、器件性能提高。
- 舒斌张鹤鸣任冬玲王伟
- 关键词：应变SI
