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马春雷

作品数：46 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信化学工程自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 15篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 14篇氧化镓
  • 11篇二极管
  • 9篇衬底
  • 8篇晶体管
  • 8篇场效应
  • 7篇压力传感器
  • 7篇肖特基
  • 7篇力传感器
  • 7篇感器
  • 7篇半导体
  • 7篇传感
  • 7篇传感器
  • 6篇电极
  • 6篇势垒
  • 6篇图像
  • 6篇肖特基二极管
  • 6篇键合
  • 6篇场效应晶体管
  • 5篇势垒层
  • 5篇介质层

机构

  • 46篇中国电子科技...
  • 3篇专用集成电路...
  • 1篇中国航天

作者

  • 46篇马春雷
  • 26篇冯志红
  • 25篇吕元杰
  • 24篇宋旭波
  • 10篇邹学锋
  • 7篇付兴昌
  • 5篇翟玉卫
  • 5篇刘岩
  • 4篇邵会民
  • 4篇孙聂枫
  • 4篇敦少博
  • 4篇乔玉娥
  • 4篇梁法国
  • 4篇王阳
  • 4篇王凯
  • 3篇李晓岚
  • 3篇韩婷婷
  • 3篇丁立强
  • 2篇徐达
  • 2篇吴爱华

传媒

  • 4篇半导体技术

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 12篇2022
  • 11篇2021
  • 8篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2013
共 46 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法
本发明提供一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法。该器件包括：衬底，设于衬底上的n型氧化镓沟道层，设于n型氧化镓沟道层上的漏电极和源电极，设于漏电极和源电极之间的栅介质层，设于栅介质层上的栅电极；n型氧化镓沟道层对应于漏...
吕元杰刘宏宇王元刚付兴昌马春雷冯志红
一种合成半导体化合物的方法
一种合成半导体化合物的方法，涉及化合物半导体的制备领域，用于合成磷化铟、磷化镓等半导体材料，关键在于，在合成过程中，旋转坩埚，使坩埚中的熔体在离心力的作用下贴在坩埚侧壁上，形成筒状；将气泡注入金属熔体靠近坩埚侧壁位置。在...
王书杰孙聂枫史艳磊刘峥邵会民姜剑李晓岚王阳邹学锋马春雷张晓丹康永刘惠生张鑫
SOI基GaN压力传感器及其制备方法
本发明适用于压力传感器技术领域，提供了一种SOI基GaN压力传感器，包括Si衬底；SiO<Sub>2</Sub>氧化层，位于Si衬底的上表面；Si顶层，位于SiO<Sub>2</Sub>氧化层的上表面；GaN缓冲层，位于...
吕元杰谭鑫宋旭波周幸叶王元刚冯志红梁士雄马春雷
文献传递
200~220GHz平衡式高效率二倍频器被引量：1
2022年
基于GaAs肖特基势垒二极管(SBD)芯片,研制了工作频率为200~220 GHz的二倍频器。采用抑制奇次谐波的平衡式电路拓扑结构以提高转换效率;采用击穿电压为-9 V的GaAs SBD并结合多阳极结结构芯片以提高输出功率;采用低阻微带线以减小波导短路面处的阻抗失配;采用三维电磁场仿真与谐波仿真结合的方法对二倍频器进行仿真。制作了二倍频器样品并对其输出功率、转换效率以及高/低温特性进行测试。测试结果表明该二倍频器在200~220 GHz的转换效率均大于10%,在215 GHz下实现了13.5 mW的输出功率和23.6%的转换效率。该二倍频器具有宽频带、高转换效率以及高/低温工作稳定等特点,可应用于下一代太赫兹通信、雷达等设备。
马春雷宋旭波梁士雄梁士雄顾国栋冯志红
关键词：太赫兹GAAS
巴伦结构及混频器
本发明提供了一种巴伦结构及混频器，该巴伦结构包括：单共面波导结构、平行板结构、双共面波导结构；平行板结构中上平行板和下平行板平行设置；单共面波导结构中第一信号线与下平行板连接，第一接地线和第二接地线均通过金属柱与上平行板...
郭丰强申靖轩刘乐乐马春雷王凯刘方罡马伟宾侯伦苏辰飞刘海峰王杰成立鑫
一种图像配准方法、图像配准装置及终端
本发明适用于图像处理技术领域，提供了一种图像配准方法、图像配准装置及终端，所述图像配准方法包括：获取平移图样，根据平移图样的每个平移点对目标图像进行平移配准，得到多个候选图像，计算各个候选图像与指定基准图像的互相关度，将...
乔玉娥翟玉卫李灏邹学锋韩伟丁立强马春雷
文献传递
一种垂直结构的氮化镓太赫兹二极管及制备方法
本发明提供了一种垂直结构的氮化镓太赫兹二极管及制备方法，包括：在一衬底上外延N+掺杂层；在所述N+掺杂层的第一表面上生长牺牲层；对所述牺牲层上除第一预设区域和第二预设区域外的其他区域进行刻蚀；在所述N+掺杂层的第一表面上...
吕元杰王元刚马春雷梁士雄付兴昌宋旭波敦少博冯志红
文献传递
Si基GaN压力传感器的制备方法
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN压力传感器的制备方法，该方法包括：在第一硅片中制备凹槽；将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上，形成密封腔体；将GaN晶圆与所述密封腔体键合，其中，所述GaN晶圆...
谭鑫吕元杰周幸叶宋旭波王元刚冯志红徐森锋马春雷
文献传递
一种膜厚样片及膜厚样片的制备方法
本发明适用于仪器校准技术领域，提供了一种膜厚样片及膜厚样片的制备方法，所述膜厚样片包括：样片载体和至少两个样片本体，其中，各样片本体的薄膜厚度和/或薄膜类型不同，所述样片载体上开设有凹槽，各样片本体衬底朝下镶嵌在所述凹槽...
韩志国梁法国李锁印马春雷赵琳冯亚南许晓青
文献传递
一种合成半导体化合物的方法
一种合成半导体化合物的方法，涉及化合物半导体的制备领域，用于合成磷化铟、磷化镓等半导体材料，关键在于，在合成过程中，旋转坩埚，使坩埚中的熔体在离心力的作用下贴在坩埚侧壁上，形成筒状；将气泡注入金属熔体靠近坩埚侧壁位置。在...
王书杰孙聂枫史艳磊刘峥邵会民姜剑李晓岚王阳邹学锋马春雷张晓丹康永刘惠生张鑫
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