邹学锋
- 作品数：59 被引量：38H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程电气工程更多>>
- 氧化镓SBD终端结构及制备方法
- 本发明适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种氧化镓SBD终端结构，自下至上包括阴极金属层、N+高浓度衬底层、N‑低浓度Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层和阳极金属层，其中，N‑低浓度Ga<Su...
- 吕元杰王元刚周幸叶谭鑫宋旭波邹学锋梁士雄冯志红
- MEMS开关动态特性研究
- 针对我所研制的MEMS开关的开关特性进行测试和研究,采用不同频率,不同占空比的方波驱动信号,对该MEMS开关的频率特性进行研究,采用不同的负载测试MEMS开关的电流能力.上述测试表明:该MEMS开关的驱动电压小于50V,...
- 邹学锋胡小东吕苗赵正平
- 关键词：MEMS开关驱动电压
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- 一种图像配准方法、图像配准装置及终端
- 本发明适用于图像处理技术领域，提供了一种图像配准方法、图像配准装置及终端，所述图像配准方法包括：获取平移图样，根据平移图样上的每个平移点对目标图像进行平移配准，得到多个候选图像，计算各个候选图像与指定基准图像的互相关度，...
- 刘岩许晓青邹学锋丁立强荆晓冬梁法国乔玉娥
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- 水银式微机械惯性开关
- 本实用新型公开了一种水银式微机械惯性开关,涉及传感器领域中的一种开关器件。它由底顶晶片、中间上下晶片、水银腔体、空腔体、沟道、水银珠、电极等部件组成。它采用的原理是该器件承受加速度时,当达到一定阀值,水银腔体中水银珠通过...
- 吕苗赵正平邹学锋
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- Si基GaN压力传感器的制备方法
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN压力传感器的制备方法，该方法包括：在GaN晶圆上制备压力敏感单元，其中，所述GaN晶圆包括衬底、衬底上表面的GaN缓冲层和所述GaN缓冲层上表面的势垒层；在第一硅片中制备...
- 谭鑫吕元杰周幸叶宋旭波王元刚冯志红马春雷邹学锋
- 复合型高深宽比沟槽标准样板及制备方法
- 本发明提供了一种复合型高深宽比沟槽标准样板及制备方法，属于微纳米计量技术领域，包括具有深度和宽度尺寸的沟槽结构、正交扫描定位结构、切片定位结构、定位角结构以及沟槽定位结构；正交扫描定位结构、切片定位结构以及沟槽定位结构均...
- 赵琳李锁印梁法国邹学锋冯亚南韩志国张晓东许晓青吴爱华
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- 一种电桥式GaN压力传感器制备方法及器件
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种电桥式GaN压力传感器制备方法及器件，包括在第一衬底的第一表面形成GaN外延层；在GaN外延层上形成以四个首尾相连的无栅极GaN HEMT器件组成的惠斯顿电桥电路的压力敏感单元；在第...
- 谭鑫吕元杰周幸叶宋旭波王元刚冯志红邹学锋马春雷
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- 验证热反射测温设备准确性的装置、制备方法及验证方法
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种验证热反射测温设备准确性的装置、制备方法及验证方法，该装置包括：衬底；所述衬底的上表面覆盖绝缘层；所述绝缘层的上表面设有图形结构，所述图形结构包括金属电阻和两个金属焊盘，其中一个所述...
- 翟玉卫邹学锋郑世棋刘岩李灏乔玉娥梁法国冯亚南
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- 基于Allan方差的MEMS陀螺仪性能评价方法被引量：32
- 2010年
- 介绍了Allan方差的基本定义,以及采用Allan方差对陀螺零偏数据进行处理所需的测试系统构成及测试要点。详细推导了采用Allan方差法对陀螺仪噪声进行估算的过程,描述了应用MATLAB进行数据处理平台建设的主要流程。最后运用Allan方差理论对MEMS陀螺信号进行了定量分析,得到了MEMS陀螺仪的量化噪声系数、角度随机游走系数、偏差不稳定性系数、速率随机游走系数和速率斜坡系数5个误差源系数,实验表明该方法能有效地辨识微机械陀螺的各项随机误差成分,可以正确评价陀螺仪的性能指标,为陀螺仪的设计改进提供了依据。
- 邹学锋卢新艳
- 关键词：MEMS陀螺仪ALLAN方差MATLAB
- 亚像素级边缘效应的修正方法及终端设备
- 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种亚像素级边缘效应的修正方法及终端设备，该方法包括：通过获取不同材料构成的被测件的多张图像，当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时，控制热反射成像测温装置上的纳米...
- 翟玉卫刘岩梁法国韩伟邹学锋李灏乔玉娥丁晨
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