在无背板生长工艺的基础上,以SU-8胶为牺牲层,直接在金属 Ni 基底上制作出了一种三维可动微机构.该器件的制作主要采用了SU-8厚胶光刻工艺、高深宽比结构的微电铸工艺以及牺牲层工艺.就SU-8胶与金属基底结合差、易产生气泡、去除困难,铸层与金属基底之间以及铸层与铸层之间结合不牢等问题进行了讨论,采用了过渡层工艺、梯度升温工艺以及酸洗等方法予以解决.对于在金属基底上通过微电铸制作微结构的工艺而言,由于基底可以直接作为微结构的一部分,因此该工艺的优势在于节省了微结构的电铸时间,降低了铸层的生长应力,提高了结构的整体强度,使微器件的可靠性大大增加.电铸时间由原来的几天甚至几周缩短为二十几个小时,避免了出现由铸层内应力引起的铸件结构变形的问题.
