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程雨

作品数：2 被引量：4H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇锑化镓
  • 2篇GASB
  • 1篇钝化
  • 1篇形貌分析
  • 1篇晶片
  • 1篇晶向
  • 1篇化学组分
  • 1篇XPS

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇赵有文
  • 2篇董志远
  • 2篇刘京明
  • 2篇杨凤云
  • 2篇程雨
  • 2篇刘彤
  • 2篇苏杰

传媒

  • 2篇半导体光电

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaSb晶片表面残留杂质分析被引量：3
2016年
对不同条件下制备的锑化镓抛光晶片表面进行了TOF-SIMS测试比较。结果表明使用体积比为5∶1的HCl与CH_3COOH的混合溶液清洗腐蚀(100)GaSb晶片表面,可以有效地去除金属离子、含S离子和大部分有机物,而使用(NH_4)_2S/(NH_4)_2SO_4混合溶液方法钝化表面,可以使表面大部分Ga和Sb元素硫化,降低了表面态密度。分析比较了清洗和钝化工艺对晶片表面化学成分的影响。
程雨刘京明苏杰刘彤杨凤云董志远赵有文
关键词：锑化镓钝化
不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析被引量：2
2015年
对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面极为粗糙;有极性的(111)GaSb晶面由于Ga—Sb价键存在于衬底内部,反而氧化程度较低,表面较光滑。分析比较了GaSb晶面表面化学组分与形貌的关系。
程雨刘京明刘彤苏杰杨凤云董志远赵有文
关键词：锑化镓XPS
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共1页<1>
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