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降低衬底表面残留杂质浓度的方法: 本发明提供了一种降低衬底表面残留杂质浓度的方法。该方法包括：将衬底浸入酸性溶液中，保持第一预设时间，以去除衬底表面的金属杂质；将衬底浸入碱性溶液中，保持第二预设时间，以去除衬底表面的非金属杂质，以及将经过上述步骤处理后的...; 刘京明赵有文王凤华杨凤云; 文献传递

不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析被引量：2: 2015年; 对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面极为粗糙;有极性的(111)GaSb晶面由于Ga—Sb价键存在于衬底内部,反而氧化程度较低,表面较光滑。分析比较了GaSb晶面表面化学组分与形貌的关系。; 程雨刘京明刘彤苏杰杨凤云董志远赵有文; 关键词：锑化镓 XPS

低位错密度4 inchGaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备被引量：2: 2017年; 采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%以上。4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm^(-2) ,其(004)双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好。晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性。经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片。通过控制本征受主缺陷浓度和掺杂浓度,制备出具有良好近红外透光率的n型GaSb单晶衬底。; 杨俊段满龙卢伟刘刚高永亮董志远王俊杨凤云王凤华刘京明谢辉王应利卢超赵有文; 关键词：单晶衬底

3英寸InAs单晶生长及衬底制备: 通过改进热场和单晶生长技术，利用液封直拉法(LEC)生长了直径3英寸<100>晶向的InAs单晶。对晶体进行了霍尔测试(Hall)、X射线双晶衍射晶体的完整性分析以及晶体的位错密度(EPD)测量分析。; 杨俊段满龙董志远刘刚杨凤云赵有文; 关键词：单晶生长; 文献传递

GaSb晶片表面残留杂质分析被引量：3: 2016年; 对不同条件下制备的锑化镓抛光晶片表面进行了TOF-SIMS测试比较。结果表明使用体积比为5∶1的HCl与CH_3COOH的混合溶液清洗腐蚀(100)GaSb晶片表面,可以有效地去除金属离子、含S离子和大部分有机物,而使用(NH_4)_2S/(NH_4)_2SO_4混合溶液方法钝化表面,可以使表面大部分Ga和Sb元素硫化,降低了表面态密度。分析比较了清洗和钝化工艺对晶片表面化学成分的影响。; 程雨刘京明苏杰刘彤杨凤云董志远赵有文; 关键词：锑化镓钝化

4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究被引量：3: 2017年; 采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm^(-2)。对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试,其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均匀。与液封直拉法(LEC)相比,VGF-InP单晶生长过程的温度梯度很低,导致其孪晶出现的几率显著增加。然而大量晶体生长结果表明VGF-InP晶锭上出现孪晶后,通常晶体的生长方向仍为(100)方向,这确保从生长的4 inch VGF-InP(100)晶锭上仍能获得相当数量的2~4 inch(100)晶片。由于铁在InP中的分凝系数很小,掺Fe-InP单晶VGF生长过程中容易出现组份过冷,导致多晶生长。通过控制生长温度梯度及掺铁量,可获得较高的掺铁InP单晶成晶率。对VGF-InP单晶的电学性质、位错密度及位错的分布特点、晶体完整性等进行了研究。; 赵有文段满龙卢伟杨俊董志远刘刚高永亮杨凤云王风华王俊刘京明谢辉王应利卢超; 关键词：孪晶

高质量化合物InP、GaSb和InAs开盒即用单晶衬底制备: 通过对液封直拉法热场和生长条件的优化控制,降低晶体生长过程所受的热应力,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,获得了高质量的2英寸和3英寸直径InP、GaSb和InAs单晶。用X-射线衍射摇摆曲线分析了晶...; 赵有文杨凤云段满龙孙文荣董志远杨俊胡炜杰刘刚王俊王应利; 关键词：GASB单晶 INP单晶

(NH4)2Sx/NH4SCN溶液钝化InAs(100)表面的研究: 为了去除InAs抛光片表面氧化层，同时减缓表面氧化，实现表面钝化，以(NH4)2SX/NH4SCN溶液为主要研究对象，通过对比试验得出了钝化与非钝化样品的区别。利用X射线光电子能谱仪(XPS)和椭偏仪测试了表面钝化情况，...; 杨凤云赵有文王俊段满龙董志远; 关键词：抛光片钝化处理; 文献传递

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杨凤云