刘彤
- 作品数：8 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学经济管理更多>>
- 化学配比条件下生长GaSb单晶的本征受主缺陷研究
- 白永彪赵有文沈桂英刘彤刘京明苏杰曹可慰
- 晶硅太阳电池黑斑分析被引量：7
- 2017年
- p型单晶硅太阳电池在EL检测过程中,部分电池片出现黑斑现象。结合X射线能谱分析(EDS),对黑斑片与正常片进行对比分析,发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同,排除了镀膜及丝网印刷过程中产生黑斑的可能。利用X射线荧光光谱分析(XRF)测试了同一电池片的黑斑区域与正常区域,发现黑斑处Ca含量较大,并出现Sr、Ge和S等杂质元素。将6个档位的电池片制备成2cm×2cm的电池样片,利用光生诱导电流测量了每个电池的外量子效率(EQE)。在460~1 000nm波长范围内,同一电池片黑斑处与正常处的EQE相差较大,说明黑斑的出现与原生硅片缺陷无关,应归结于电池片生产过程中引入的杂质缺陷。给出了杂质引入的原因以及解决途径,从而显著减小了黑斑片产生的几率。
- 陈晓玉刘彤刘京明谢辉赵有文董志远马承红和江变
- 关键词：黑斑能谱分析X射线荧光光谱外量子效率
- 采用闭管化学气相传输方式生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>单晶的方法
- 一种采用闭管化学气相传输方式生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>单晶的方法，包括：在封闭的石英管内，一端放入Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉末作为源，另一端放入生长Ga<Su...
- 苏杰刘彤刘京明赵有文
- 文献传递
- 新型低成本、环境友好多晶硅提纯技术
- 董志远赵有文刘彤王俊陈腾
- 中国科学院半导体研究所受包头山晟新能源公司委托，经过多年的实验研究和理论分析，提出了以冷坩埚技术为基础的多晶硅提纯工艺路线，创立了一种新型低成本、环境友好、高效的多晶硅提纯技术和整套工艺规范，实现批量生产。硅提纯工艺其产...
- 关键词：
- 关键词：多晶硅提纯工艺冷坩埚
- InAs单晶原生缺陷退火研究
- 沈桂英赵有文刘彤刘京明曹可慰苏杰白永彪
- 不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析被引量：2
- 2015年
- 对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面极为粗糙;有极性的(111)GaSb晶面由于Ga—Sb价键存在于衬底内部,反而氧化程度较低,表面较光滑。分析比较了GaSb晶面表面化学组分与形貌的关系。
- 程雨刘京明刘彤苏杰杨凤云董志远赵有文
- 关键词：锑化镓XPS
- GaSb晶片表面残留杂质分析被引量：3
- 2016年
- 对不同条件下制备的锑化镓抛光晶片表面进行了TOF-SIMS测试比较。结果表明使用体积比为5∶1的HCl与CH_3COOH的混合溶液清洗腐蚀(100)GaSb晶片表面,可以有效地去除金属离子、含S离子和大部分有机物,而使用(NH_4)_2S/(NH_4)_2SO_4混合溶液方法钝化表面,可以使表面大部分Ga和Sb元素硫化,降低了表面态密度。分析比较了清洗和钝化工艺对晶片表面化学成分的影响。
- 程雨刘京明苏杰刘彤杨凤云董志远赵有文
- 关键词：锑化镓钝化
- AlN原料的钨网炉高温提纯被引量：1
- 2015年
- 商品氮化铝粉料中含有高浓度的氧、碳及金属杂质,需经过高温提纯处理后才能用于物理气相法氮化铝晶体生长。与感应加热相比,钨网电阻加热可有效避免碳、氧等的二次沾污,势必具有良好的提纯效果。本文采用钨网炉对AlN原料进行高温烧结提纯处理,通过X射线能谱仪(EDS)、气体分析技术(IGA)和辉光放电质谱仪(GDMS)对烧结处理后AlN的杂质含量进行了测试分析,结果表明经钨网炉高温烧结处理后,AlN原料中杂质含量明显降低,其中的氧、碳去除效果显著。还进一步分析了杂质挥发、原料损耗随温度、时间变化的规律。
- 刘京明刘彤杨俊陶东言段满龙董志远赵有文李百泉
- 关键词：氮化铝提纯
