刘孝刚
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程更多>>
- 一种LED倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品
- 本发明公开了一种LED倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品，包括LED倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连...
- 刘胜吕植成汪学方袁娇娇刘孝刚杨亮陈飞方靖曹斌
- 文献传递
- 用于三维封装的多层芯片键合对准技术
- 2015年
- 采用离心力使硅片直角边与模具凹槽直角边贴紧对准的思想,提出了一种用于三维系统封装的多芯片对准技术.基于该技术原理制作了对准装置,并实现了多芯片一次性对准键合(6层芯片).具体过程包括:加工带方形凹槽的模具;将芯片切割为形状一致的方形,并保证边缘整齐;将芯片置入凹槽并旋转模具,对准后停止旋转并夹紧固定堆叠芯片;将固定后的芯片转移至键合腔内实现键合,试验测试键合后对准误差为4μm.具体分析了影响多层芯片对准精度的因素,并提出了优化方案,论证了离心对准技术的可行性.
- 陈明祥吕亚平刘孝刚刘胜
- 关键词：键合三维封装
- 基于有限元方法的MEMS器件封装可靠性研究
- MEMS（Micro-Electro-Mechanical-Systems，微机电系统）器件具有体积小，功耗低，可靠性高等优点。广泛用于汽车电子，消费电子，航空航天，生物医学、环境监控和信息等领域。为了适应不断变化的市场...
- 刘孝刚
- 关键词：微机电系统有限元方法叠层封装热机械性能
- 文献传递
- 含TSV结构的3D封装多层堆叠Cu/Sn键合技术被引量：4
- 2014年
- 研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析。研究了Cu/Sn低温键合机理,对其工艺进行了优化,得到键合温度280℃、键合时间30 s、退火温度260℃和退火时间10 min的最佳工艺条件。最后重点分析了多层堆叠Cu/Sn键合技术,采用能谱仪(EDS)分析确定键合层中Cu和Sn的原子数比例。研究了Cu层和Sn层厚度对堆叠键合过程的影响,获得了10层芯片堆叠键合样品。采用拉力测试仪和四探针法分别测试了键合样品的力学和电学性能,同时进行了高温测试和高温高湿测试,结果表明键合质量满足含TSV结构的三维封装要求。
- 吕亚平刘孝刚陈明祥刘胜
- 关键词：CU
- 纳米热压键合技术及其应用
- 本研究采用纳米多孔铜作为键合层，有效降低了热压键合温度与压力。对于纳米热压键合而言，有助于降低键合温度与压力的可能因素包括:纳米尺寸效应、表面效应、叉指效应、纳米多孔铜杨氏模量降低，键合界面易于变形。目前，基于纳米热压键...
- 陈明祥刘孝刚李科成
- 关键词：半导体器件性能表征
- 文献传递
- 一种LED倒装芯片的圆片级封装结构
- 本实用新型公开了一种LED倒装芯片的圆片级封装结构，包括LED倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹...
- 刘胜吕植成汪学方袁娇娇刘孝刚杨亮陈飞方靖曹斌
- 文献传递
- 用于三维封装的铜-铜低温键合技术进展被引量：5
- 2015年
- 在三维系统封装技术中,金属热压键合是实现多层芯片堆叠和垂直互连的关键技术。为了解决热压键合产生的高温带来的不利影响,工业界和各大科研机构相继开发出了多种低温键合技术。综述了多种不同的低温金属键合技术(主要是Cu-Cu键合),重点阐述了国内外低温金属键合技术的最新研究进展及成果,并对不同低温金属键合技术的优缺点进行了分析和比较。
- 李科成刘孝刚陈明祥
- 关键词：三维封装热压键合低温键合电子封装系统封装
- 一种LED倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品
- 本发明公开了一种LED倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品，包括LED倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连...
- 刘胜吕植成汪学方袁娇娇刘孝刚杨亮陈飞方靖曹斌
- 文献传递
