陈明祥
- 作品数：114 被引量：234H指数：9
- 供职机构：华中科技大学机械科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划湖北省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 多功能真空键合设备的研制
- 圆片键合技术是MEMS制作与封装技术中重要的工艺方法.它是指通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料紧密地结合起来的方法,可起到MEMS各构件间的支撑和保护作用,或者使机械结构与IC之间起机械互连作用.常见的...
- 杨俊波汪学方张鸿海关荣峰陈明祥刘胜史铁林
- 关键词：MEMS圆片键合阳极键合微机械加工
- 文献传递
- 基于感应加热的MEMS键合工艺研究
- 对感应局部加热实现MEMS封装键合进行了初步研究.试验中选用功率为1kW、频率为400kHz的高频电源,通过对感应线圈优化设计,实现了硅片上的焊料图形键合.为实现局部加热,感应加热图形(键合区)应设计为封闭环结构(同时也...
- 陈明祥易新建甘志银刘胜
- 关键词：微机电系统封装
- 文献传递
- 含TSV结构的3D封装多层堆叠Cu/Sn键合技术被引量：4
- 2014年
- 研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析。研究了Cu/Sn低温键合机理,对其工艺进行了优化,得到键合温度280℃、键合时间30 s、退火温度260℃和退火时间10 min的最佳工艺条件。最后重点分析了多层堆叠Cu/Sn键合技术,采用能谱仪(EDS)分析确定键合层中Cu和Sn的原子数比例。研究了Cu层和Sn层厚度对堆叠键合过程的影响,获得了10层芯片堆叠键合样品。采用拉力测试仪和四探针法分别测试了键合样品的力学和电学性能,同时进行了高温测试和高温高湿测试,结果表明键合质量满足含TSV结构的三维封装要求。
- 吕亚平刘孝刚陈明祥刘胜
- 关键词：CU
- 银纳米线柔性加热器在个人热管理中的研究进展
- 2023年
- 个人热管理(PTM)技术通过调控人体表面的热学微环境,可实现对人体体温的精准调控,不仅可以维持人体热舒适,而且可以有效降低建筑能耗,是近年来的研究热点。基于银纳米线(Ag NW)的柔性薄膜加热器件具有加热效率高、柔性可拉伸性强、佩戴舒适等优点,在PTM中得到了广泛应用。基于Ag NW柔性薄膜加热器在PTM应用中的研究进展,从Ag NW合成、成膜、后处理与封装4个方面,对Ag NW柔性薄膜加热器的制备工艺进行了全面总结;采用方块电阻和品质因子等参数定量分析了电热性能和透明度等关键指标的发展趋势;最后介绍了Ag NW薄膜加热器与电磁屏蔽、运动感应、NO_(2)检测等应用的集成,并对其未来的发展方向进行了展望。
- 李晨圆陈明祥谢斌
- 关键词：电热性能
- LED感应局部加热封装试验研究被引量：13
- 2007年
- 采用感应局部加热技术,对大功率发光二极管(LED)封装进行了试验研究。结果表明,由于感应加热对材料和结构具有选择性,封装过程中仅Cu-Sn合金焊料层加热,实现了芯片和覆铜陶瓷基板间的热键合。封装后的LED性能测试表明,该封装技术不仅降低了热阻,使LED在高电流下(4倍电流)仍能保持较低的工作温度,而且降低了热应力和整体高温对芯片结构的损坏,提高了器件性能和可靠性。
- 陈明祥马泽涛刘胜
- 关键词：发光二极管封装
- 一种含微通道的陶瓷基板及其制备方法
- 本发明属于电子封装相关技术领域，其公开了一种含微通道的陶瓷基板及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)采用电镀工艺在陶瓷基片相背的两个表面分别制备金属线路层及微通道立柱，所述微通道立柱的数量为多个，多个所述微通道立...
- 陈明祥王卿程浩
- 文献传递
- 用于低温键合的微纳米铜颗粒焊膏及其制备方法和应用
- 本发明属于电子制造技术领域，并具体公开了用于低温键合的微纳米铜颗粒焊膏及其制备方法和应用。该制备方法包括：将微米铜颗粒清洗去除杂质，然后烘干备用；将烘干后的微米铜颗粒置于预设环境中进行氧化，从而在其表面形成纳米铜氧化物；...
- 陈明祥刘佳欣
- 文献传递
- 低温键合制备铜-陶瓷基板方法
- 本发明提供了一种低温键合制备铜-陶瓷基板的方法。首先将铜合金片选择性腐蚀得到含多孔纳米结构的铜片，然后在一定的温度、压力和保护气氛作用下，将铜片热压键合到沉积有金属薄膜的陶瓷片上，得到单面或双面含铜层的铜-陶瓷基板，最后...
- 陈明祥
- 文献传递
- 三维电镀陶瓷基板激光封焊技术
- 2024年
- 气密封装是推动电子器件高可靠发展的一项重要技术,传统气密封装技术存在焊接温度高、热冲击大、应用范围窄等问题,无法满足三维电镀陶瓷基板气密封装要求。本文结合脉冲激光焊接的技术优势,研究了脉冲激光焊接三维电镀陶瓷基板实现气密封装,重点探讨了焊接过程中脉冲激光与材料相互作用模式,分析了焊接样品界面微观形貌、气密性、力学性能等。研究表明,焊接金属区裂纹的出现与基底金属铜向可伐侧的扩散密切相关;焊接过程稳定、焊接熔深小的热传导模式和过渡模式可以避免焊接裂纹出现。通过试验优化了焊接工艺参数,当激光峰值功率为120 W、脉冲宽度为1 ms、重叠率为80%时,三维陶瓷基板腔体结构获得了最佳高气密性,泄漏率为5.2×10^(-10)Pa·m^(3)/s,接头剪切强度为278.06 MPa,满足第三代半导体器件高可靠气密封装需求。
- 罗霖丁勇杰苏鹏飞赵九洲彭洋陈明祥
- 关键词：脉冲激光气密封装
- 一种高热稳定的芯片级LED封装方法及其产品
- 本发明属于半导体制造技术相关领域，并公开了一种高热稳定的芯片级LED封装方法，其包括：首先将多颗LED芯片通过共晶键合贴装在陶瓷基板上，接着在陶瓷基板上涂覆荧光玻璃浆料，并通过低温烧结在芯片顶部和侧面获得荧光玻璃层，然后...
- 陈明祥彭洋牟运罗小兵刘胜
- 文献传递
