于新晓
- 作品数：6 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 倾斜反射阵列相关器技术研究
- 2005年
- 介绍了倾斜反射阵列相关器(SRAC)设计技术,并采用该技术在YZ-LiNbO3基片上制作了中心频率60MHz,带宽35MHz,色散时间40μs的声表面波沟槽反射栅色散延迟线,实现了60%的相对带宽,同时采用了幅度及相位补偿技术,改善了器件的幅频及相频特性,实现了主副瓣比35dB。
- 张龙周莉陈小兵于新晓
- 关键词：声表面波相位补偿主副瓣比
- 2．8GHz薄膜体声波谐振器的研究被引量：7
- 2010年
- 通过采用微机电系统（MEMS）和微声电子方法，研究了硅基片上横膈膜结构薄膜体声波谐振器（FBAR）。器件的串联谐振频率fs=2．75GHz。并联谐振频率fp=2．8GHz，插入损耗IL=-3．7dB，并联谐振频率品质因子Qp=260，有效机电耦合系数Keff^2=4．5％。
- 江洪敏马晋毅汤劲松周勇毛世平于新晓刘积学
- 关键词：薄膜体声波谐振器横膈膜微机电系统
- FBAR用氮化铝压电薄膜研究被引量：4
- 2015年
- 介绍了FBAR用复合氮化铝(AlN)压电薄膜的制作方法。采用双S枪中频(40kHz)磁控反应性溅射铝靶制作出了AlN压电薄膜。采用双S枪直流(DC)磁控溅射钼(Mo)靶制作出了Mo电极薄膜。对AlN压电薄膜、Mo电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面择优取向优良。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了膜厚测试,结果表明,其膜厚均匀性优于±0.5%。对?4″Si基AlN压电薄膜、Mo薄膜进行了应力测试,结果表明,其应力分别在-100^+100 MPa及-150^+220 MPa;对?4″Si基Mo/AlN/Mo/AlN复合压电薄膜应力进行了应力测试,结果表明,其应力低达-71.518 5 MPa。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了化学成分分析,结果表明,其Al∶N原子比为51.8∶48.2。
- 陈运祥董加和司美菊李洪平赵雪梅张永川于新晓刘善群
- 关键词：膜厚均匀性薄膜应力
- 声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法
- 本发明涉及声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法，步骤为：1)根据设计的底电极、压电膜和上电极各层的电极图形，制作底电极双面光刻掩膜版、套刻用压电膜和上电极掩膜版；2)在传声介质两端形成底电极金属薄膜；3)在底电极金属薄膜...
- 汤劲松朱昌安周勇郑泽渔米佳于新晓马晋毅李仁挥
- 文献传递
- 声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法
- 本发明涉及声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法，步骤为：1)根据设计的底电极、压电膜和上电极各层的电极图形，制作底电极双面光刻掩膜版、套刻用压电膜和上电极掩膜版；2)在传声介质两端形成底电极金属薄膜；3)在底电极金属薄膜...
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- 压电陶瓷圆片单面研磨抛光工艺被引量：1
- 2018年
- 介绍了一种在行星式双面磨抛设备上对压电陶瓷圆片进行单面研磨和抛光的工艺。在加工过程中,使用了自制的全水溶性粘接剂来粘接晶片,实现了圆片单面所有磨抛加工流程都在双面磨抛设备上进行。采用自制化学腐蚀液分段腐蚀控制圆片形貌(翘曲度)的变化,中间研磨工序优化介质控制表面粗糙度和划道、SiO2胶体化学机械抛光去除亚损伤层,获得了高品质的铝钛酸铝压电陶瓷(PZT)单面抛光圆片。
- 鄢秋娟罗夏林米佳李洪平谭桂娟刘善群唐运红于新晓张静雯
- 关键词：双面研磨化学腐蚀
