周勇
- 作品数：24 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 高次谐波声体波谐振器
- 1996年
- 简要介绍了高次谐波声体波谐振器的独特优越性和发展概况。用有关高次谐波声体波谐振器的设计理论进行了设计。报道了对高次谐波声体波谐振器的实验研究，给出了超高频和Ｌ波段高Ｑ值高次谐波声体波谐振器的实验结果。
- 王宗富刘岳穗周勇陈运祥汪渝
- 关键词：声体波高次谐波谐振器薄膜换能器Q值微波
- 预设空腔型SOI基片薄膜体声波滤波器及制作方法
- 本发明公开了一种预设空腔型SOI基片薄膜体声波滤波器及制作方法，涉及微电子器件领域，滤波器由制作于预设空腔SOI基片上的多个薄膜体声波谐振器单元电学级联构成，谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极，SOI基片的衬底硅上表面设...
- 杨增涛马晋毅欧黎冷俊林杨正兵赵建华陈运祥周勇陈小兵傅金桥张龙张涛曹亮
- 压电薄膜换能器双端共溅生长ZnO薄膜的方法
- 本发明涉及压电薄膜换能器双端共溅生长ZnO薄膜的方法，它采用反应磁控溅射法在晶体两端生长ZnO薄膜，晶体附着在夹具上。生长时，将晶体的两端对称于靶源中心线放置使晶体两端处于完全相同的辉光区包裹中，利用同一靶源在晶体两端同...
- 汤劲松朱昌安郑泽渔周勇李仁挥
- 文献传递
- Ta_2O_5膜压电效应研究
- 1991年
- 本文报道了新型Ta_2O_5压电膜的制备方法及其工艺技术。用×轴垂直取向性Ta_2O_5压电膜制作出了声表面波(SAW)延迟线及滤波器。并给出了相应的实验结果。
- 陈运祥杨龙其周勇王宗富何大珍
- 关键词：压电效应声表面波器件
- 倍频程宽带声体波微波延迟线被引量：3
- 2004年
- 报道了采用 Zn O压电薄膜换能器设计制作倍频程宽带声体波微波延迟线和实际结果。工作频率 2～6 GHz,延时 0 .2 μs,插入损耗波动≤ 6 d
- 周小平王宗富陈运祥周勇刘光耀
- 关键词：声体波微波延迟线宽带
- 可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法
- 本发明公开了一种可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法，涉及一种频率可调谐的谐振器及制作方法，包括带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器，谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极，底电极靠预设空腔一侧设置有...
- 杨增涛马晋毅冷俊林杨正兵赵建华陈小兵陈运祥周勇傅金桥张龙
- 提高DC平面磁控溅射中靶材利用率的新方法
- 2005年
- 目前已得到广泛应用的DC平面磁控反应性溅射制备ZnO压电薄膜，由于靶面氧化和靶表面氧化物的沉积，导致放电电阻增加和靶表面的弧光放电，严重影响压电薄膜的生长和靶材利用率。该文介绍了一种采用稀硝酸对已被氧化的金属锌靶进行清洗的新方法，效果良好，靶材利用率提高3～4倍。
- 周勇
- 关键词：ZNO压电薄膜
- 高声速SAW金刚石复合结构材料及器件研究
- 本文阐述了高声速 SAW 复合结构材料 SiO/ZnO/金刚石/Si 及其器件的研究进展情况,给出了谊复合结构材料及其器件的制作方法和实验结果。ZnO 膜体电阻率 p 达到1.9×10Ω.cm。ZnO 薄膜 C 轴垂直取...
- 陈运祥秦廷辉谭学斌杨正兵伍平杜明熙周勇冷俊林
- 关键词：金刚石相速度
- 文献传递
- 2．8GHz薄膜体声波谐振器的研究被引量：7
- 2010年
- 通过采用微机电系统（MEMS）和微声电子方法，研究了硅基片上横膈膜结构薄膜体声波谐振器（FBAR）。器件的串联谐振频率fs=2．75GHz。并联谐振频率fp=2．8GHz，插入损耗IL=-3．7dB，并联谐振频率品质因子Qp=260，有效机电耦合系数Keff^2=4．5％。
- 江洪敏马晋毅汤劲松周勇毛世平于新晓刘积学
- 关键词：薄膜体声波谐振器横膈膜微机电系统
- 2μs低损耗声体波微波延迟线被引量：5
- 2010年
- 通过优化换能器拓扑结构,探索长延时传声介质的双面光刻及探针提取S参数进行网络匹配等技术,改进了声体波微波延迟线换能器设计及制作工艺。研制出中心频率为4.3 GHz,带宽为200 MHz,延迟时间为1.999 7μs,插入损耗仅26 dB,直通抑制45 dB,3次渡越抑制42 dB的声体波微波延迟线。
- 朱昌安郑泽渔李世红汤劲松周勇王宗富米佳刘玲
- 关键词：低损耗声体波延迟线
