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领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇锗硅
  • 1篇碳化硅
  • 1篇外延片
  • 1篇无损检测
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇功率器件
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇超高真空
  • 1篇超高真空化学...

机构

  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国科学院
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  • 1篇山东天岳先进...
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  • 1篇常州银河世纪...
  • 1篇厦门普诚科技...
  • 1篇深圳市星汉激...
  • 1篇深圳市鹰眼在...
  • 1篇深圳市恒运昌...
  • 1篇厦门柯尔自动...
  • 1篇中电化合物半...
  • 1篇之江实验室

作者

  • 2篇李佳
  • 1篇何华云
  • 1篇芦伟立
  • 1篇宁宗娥
  • 1篇魏唯

传媒

  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法
芦伟立房玉龙李佳张冉冉李丽霞杨青殷源刘立娜张建锋李振廷徐晨宋生张永强钮应喜金向军毛开礼丁雄杰刘薇周少丰庄建军乐卫平周翔夏俊杰陆敏郑隆结薛联金
UHVCVD外延设备的热场设计
2013年
介绍了超高真空化学气相沉积(UHVCVD)锗硅外延设备的加热室设计方法,完善了相关的炉体设计,相关温度指标达到设计标准。
李佳魏唯何华云宁宗娥
关键词:超高真空化学气相沉积锗硅
共1页<1>
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