您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇半导体
  • 3篇导电类型
  • 3篇导体
  • 3篇散结
  • 3篇浅结
  • 3篇击穿电压
  • 3篇半导体材料
  • 3篇半导体结构
  • 2篇电路
  • 2篇双极工艺
  • 2篇晶体管
  • 2篇放大器
  • 1篇低功耗
  • 1篇电流
  • 1篇电阻
  • 1篇运算放大器
  • 1篇正温度系数
  • 1篇数-模转换器
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇迁移

机构

  • 8篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇电子工业部

作者

  • 10篇欧宏旗
  • 4篇刘勇
  • 4篇唐昭焕
  • 3篇谭开洲
  • 3篇税国华
  • 3篇胡永贵
  • 2篇胡明雨
  • 2篇黄磊
  • 1篇刘伦才
  • 1篇王学毅
  • 1篇杨永晖
  • 1篇刘嵘侃
  • 1篇刘玉奎
  • 1篇钟怡
  • 1篇朱煜开
  • 1篇阚玲

传媒

  • 6篇微电子学

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇1995
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法
本发明涉及一种不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法。本发明包括半导体材料、主扩散结、n个耐压层B<Sub>1</Sub>~B<Sub>n</Sub>(n≥2)、耗尽终止区和介质层,其主扩散结、n个耐压...
谭开洲胡永贵刘勇欧宏旗唐昭焕
文献传递
正温度系数随温度线性变化的P型电阻的制造方法
本发明公开了一种正温度系数随温度线性变化的P型电阻的制造方法。本发明方法的主要工艺步骤为:1)在低掺杂的N<Sup>-</Sup>型硅片上制作Ar埋层;2)在形成Ar埋层后的所述硅片上制作P<Sup>-</Sup>电阻层...
税国华欧宏旗胡明雨
文献传递
一种电流型10位D/A转换器
1995年
本文介绍了10位D/A转换器SDA100的电路结构和工作原理,重点叙述了工艺制作技术以及电路中CrSi薄膜电阻的激光修调技术,并介绍了一些实际制作经验,为以后的设计提供参考。
欧宏旗
关键词:数-模转换器双极工艺
一种超βNPN晶体管的研制被引量:1
2005年
阐述了一种超βNPN型晶体管的研制及实现批量生产的过程.该晶体管在VCE=5 V、IC=500 mA大电流下工作时,电流增益可达到900~1800,且器件的BVCEO、BVCBO耐压比较高,其中,BVEBO达15 V以上,完全满足低频大电流超高增益晶体管的实用要求.
阚玲欧宏旗
关键词:NPN晶体管双极晶体管半导体工艺
一种提高ESD性能的高压SBD器件结构研究被引量:1
2012年
提出了一种新型SBD器件结构,并应用于高压SBD产品的研制。该结构通过在肖特基势垒区的硅表面增加一层表面缓冲掺杂层(Improved Surface Buffer Dope),将高压SBD的击穿点从常规结构的PN结保护环区域转移到平坦的肖特基势垒区,从根本上提高了器件的反向静电放电(ESD)和浪涌冲击能力。经流片验证,采用该结构的10A150VSBD产品和10A200VSBD产品均通过了反向静电放电(HBM模式)8kV的考核,达到目前业界领先水平。该结构工艺实现简单,可以应用于100V以上SBD的批量生产。
钟怡许国磊欧宏旗义岚刘嵘侃
关键词:静电放电可靠性
PJFET与双极兼容工艺技术研究被引量:2
2009年
通过对PJFET与双极兼容工艺技术的研究,解决了PJFET和双极兼容工艺中的技术难点,得到了IDSS=150-350μA(W/L=10:1)、Vp=0.8~1.2V、IGSS=10^-12~10^-11 A的高性能PJFET和β=100-250、BVCEO≥36V、Ua≥100V的NPN管。采用该技术,成功研制出一种偏置电流小于100pA的高精密双极结型场效应晶体管(BJFET)集成运算放大器,获得了良好的效果。
税国华唐昭焕刘勇欧宏旗杨永晖王学毅黄磊
关键词:集成运算放大器
一种PN结隔离互补双极工艺被引量:3
2007年
介绍了几种互补双极工艺的结构和特点,详细阐述了一种基于N型外延的PN结隔离互补双极工艺;着重探讨了隔离制作技术和PNP管设计要点,并对实际流片结果进行了讨论。
欧宏旗刘伦才胡明雨税国华
关键词:互补双极工艺PNP晶体管高速放大器
增加击穿电压的半导体结构及制造方法
本发明涉及一种增加击穿电压的半导体结构及制造方法。本发明结构非常简单,包括半导体材料、主扩散结、耐压层、耗尽终止区和介质层共5个部分。其中,主扩散结、耐压层、耗尽终止区都处于半导体材料中,主扩散结和耐压层的导电类型与半导...
谭开洲刘勇胡永贵欧宏旗唐昭焕
文献传递
一种高压低功耗比较器电路的设计
2023年
提出了一种高压低功耗比较器电路。该电路基于0.5μm CMOS工艺设计,采用差分对单端输出结构,利用高压PMOS尾电流进行偏置,实现了降低功耗的目的。结果表明,该电路静态电流约为8.25μA,工作电压范围为3~18 V,输入失调电压为5 mV,输入失调电流约6 fA,输入偏置电流约2.5 pA。该电路适用于低功耗、高压模拟模拟集成电路领域。
欧宏旗刘玉奎付晓伟黄磊朱煜开殷万军汪璐
关键词:低功耗比较器模拟集成电路
不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法
本发明涉及一种不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法。本发明包括半导体材料、主扩散结、n个耐压层B<Sub>1</Sub>~B<Sub>n</Sub>(n≥2)、耗尽终止区和介质层,其主扩散结、n个耐压...
谭开洲胡永贵刘勇欧宏旗唐昭焕
文献传递
共1页<1>
聚类工具0