您的位置: 专家智库 > >

陈文锁

作品数:13 被引量:2H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 7篇半导体
  • 6篇深槽
  • 4篇终端
  • 4篇耐压
  • 4篇介质耐压
  • 4篇绝缘
  • 4篇绝缘层
  • 3篇双极工艺
  • 3篇耐压性
  • 3篇耐压性能
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇电路
  • 2篇电子器件
  • 2篇电阻
  • 2篇淀积
  • 2篇掩蔽层
  • 2篇氧化层
  • 2篇印章
  • 2篇施主

机构

  • 13篇中国电子科技...
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇重庆中科渝芯...

作者

  • 13篇陈文锁
  • 7篇谭开洲
  • 7篇唐昭焕
  • 6篇王健安
  • 5篇胡刚毅
  • 5篇刘勇
  • 5篇杨永晖
  • 5篇钟怡
  • 4篇陈光炳
  • 4篇王育新
  • 4篇许斌
  • 4篇王志宽
  • 4篇黄磊
  • 4篇邱盛
  • 4篇张振宇
  • 2篇徐学良
  • 2篇胡盛东
  • 2篇徐代果
  • 2篇秦国林
  • 2篇冉明

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于SOI CMOS的电子器件、制备方法以及剥离方法
本发明提供一种基于SOI CMOS的电子器件、制备方法以及剥离方法,基于SOI CMOS的电子器件上设有多个剥离槽,所述剥离槽贯穿所述基于SOI CMOS的电子器件,不仅便于基于SOI CMOS的电子器件的制造,而且在减...
张培健王鹏飞陈文锁袁浚朱坤峰陈仙徐代果
文献传递
一种具有界面N<Sup>+</Sup>层的SOI LDMOS半导体器件
本发明公开了一种具有界面N<Sup>+</Sup>层的SOI LDMOS半导体器件,涉及一种半导体功率器件,包括衬底硅层、介质埋层和有源顶层硅,介质埋层设置于衬底硅层与有源顶层硅之间,有源顶层硅自半导体表面至介质埋层分为...
胡盛东罗俊谭开洲徐学良王健安秦国林唐昭焕陈文锁
文献传递
用于高速双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法
本发明提供一种用于双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法,包括:在基底硅片上设置掩膜;在所述掩膜上设置贯穿掩膜的蚀刻窗口,并通过对蚀刻窗口对其下层的基底硅片进行蚀刻,形成深槽;注入与体硅掺杂类型相反的杂质形成槽底隔...
张培健陈文锁易前宁梁柳洪冉明
一种基于SOI CMOS的电子器件、制备方法以及剥离方法
本发明提供一种基于SOI CMOS的电子器件、制备方法以及剥离方法,基于SOI CMOS的电子器件上设有多个剥离槽,所述剥离槽贯穿所述基于SOI CMOS的电子器件,不仅便于基于SOI CMOS的电子器件的制造,而且在减...
张培健王鹏飞陈文锁袁浚朱坤峰陈仙徐代果
文献传递
高压半导体介质耐压终端
本发明提供一种高压半导体介质耐压终端,包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区,在有源器件区的一侧开设有第一深槽,第一深槽垂直穿过外延层,进入到高掺杂半导体材料...
谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
文献传递
高压半导体介质耐压终端
本发明提供一种高压半导体介质耐压终端,包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区,在有源器件区的一侧开设有第一深槽,第一深槽垂直穿过外延层,进入到高掺杂半导体材料...
谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
文献传递
700V三层RESURF nLDMOS优化设计被引量:2
2013年
提出了一种利用高能离子注入形成的700V三层RESURF结构nLDMOS。与双RESURF结构漂移区表面注入形成P-top层不同,三层RESURF结构在漂移区内部形成P型埋层,漂移区表面保留一条N型导电通路,导通电阻有所降低。利用Sentaurus TCAD仿真软件,分析各参数对器件击穿电压和导通电阻的影响。与普通单RESURF和双RESURF结构相比,三层RESURF LDMOS器件的优值(FOM)得到提高,三种结构的优值之比为1∶1.75∶2.03。
孙鹏刘玉奎陈文锁
关键词:降低表面电场击穿电压比导通电阻
高压半导体介质耐压终端
本发明提供一种高压半导体介质耐压终端,包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区,在有源器件区的一侧开设有第一深槽,第一深槽垂直穿过外延层,进入到高掺杂半导体材料...
谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
文献传递
一种具有界面N<Sup>+</Sup>层的SOI LDMOS半导体器件
本发明公开了一种具有界面N<Sup>+</Sup>层的SOILDMOS半导体器件,涉及一种半导体功率器件,包括衬底硅层、介质埋层和有源顶层硅,介质埋层设置于衬底硅层与有源顶层硅之间,有源顶层硅自半导体表面至介质埋层分为N...
胡盛东罗俊谭开洲徐学良王健安秦国林唐昭焕陈文锁
文献传递
高压半导体介质耐压终端
本发明提供一种高压半导体介质耐压终端,包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区,在有源器件区的一侧开设有第一深槽,第一深槽垂直穿过外延层,进入到高掺杂半导体材料...
谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
共2页<12>
聚类工具0