李志
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 非晶硅微测辐射热计热学和力学仿真研究被引量：5
- 2009年
- 通过理论计算及有限元方法仿真研究微测辐射热计的热学和力学性能,得出了微桥桥腿尺寸与微桥的热导、热时间常数、桥面温升以及由微桥自身重力引起的位移形变的关系;提出了为了兼顾较好的热学和力学性能,需要选取合适的微桥桥腿尺寸的观点。以像元尺寸50μm×50μm的微桥结构为例,选取了非晶硅微测辐射热计理论上的最佳桥腿尺寸,得到桥腿的热导值5.05×10-7W/K,热时间常数1.18ms,桥面温升34.71mK,最大位移形变量3.62×10-4μm。
- 龚宇光李伟蔡海洪李志陈超蒋亚东
- 关键词：非晶硅微测辐射热计有限元分析热学性能力学性能
- a-Si∶H薄膜的磷-碳二元复合掺杂改性研究
- 2010年
- 以SiH4,PH3,CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4流量制备了磷、碳二元掺杂非晶硅薄膜,研究了磷、碳二元掺杂对薄膜微观结构和光学性能的影响。用X射线光电子能谱仪(XPS)观察到了C-Si峰的存在,同时发现随着CH4流量的增加,薄膜中C元素含量逐渐增大。傅里叶转换红外光谱(FTIR)测试表明,掺杂薄膜中的H含量随着CH4流量的增加逐渐增大,由11.5%增大到24.6%。光学性能测试表明,随着CH4流量的增加,掺杂薄膜的折射率逐渐降低,而光学带隙逐渐增加。
- 蔡海洪李伟蒋亚东龚宇光李志
- 关键词：XPSFTIR
- 非晶硅微测辐射热探测器的现状与发展被引量：1
- 2009年
- 基于非晶硅薄膜材料的微测辐射热探测器凭借其成本低、结构简单、可大规模生产等优势,在过去十几年间发展迅速,其焦平面阵列由最初的160×120小规模发展到目前的1024×768大规模,像元间距也由50μm减少到17μm。简要介绍了作为微测辐射热探测器的热敏电阻材料的优缺点,重点评述了具有代表性的非晶硅微测辐射热探测器的研究现状及发展趋势。
- 龚宇光李伟蒋亚东陈超蔡海洪李志
- 关键词：非晶硅阵列结构性能特点
- 气体压强对磷掺杂a-Si∶H薄膜电学性能的影响被引量：3
- 2009年
- 用射频等离子增强化学气相沉积方法（RF—PECVD）制备磷掺杂氢化非晶硅（a—Si：H）薄膜，研究了辉光放电气体压强（20-80Pa）对薄膜的暗电导率、电导激活能以及电阻温度系数的影响；利用激光喇曼光谱研究了气体压强对a—Si：H薄膜微结构的影响，并与薄膜的电学性能进行了综合讨论。结果表明：随着辉光放电气体压强的增加，a-Si：H薄膜的暗电导逐步减小，但电导激活能和电阻温度系数都有不同程度的增大；同时，薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化。
- 陈宇翔李伟金鑫蒋亚东廖乃镘蔡海洪李志龚宇光
- 关键词：PECVD气体压强氢化非晶硅薄膜喇曼光谱
