李伟
- 作品数：42 被引量：163H指数：9
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家杰出青年科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 掺硼非晶硅薄膜的电阻不稳定性研究被引量：1
- 2008年
- 以硅烷和硼烷为气相反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜。测试了不同样品电阻随测试时间的变化,以及光照和噪声对材料电学性质的影响。结果表明,刚制备出来的样品存在氧化现象,长时间光照会出现S-W效应,由于RTS噪声的存在,样品电阻会出现随机性波动。
- 杨利霞吴志明李世彬蒋亚东朱魁鹏李伟廖乃镘
- 关键词：氢化非晶硅硼掺杂噪声等离子体增强化学气相沉积
- PIN型非晶硅薄膜太阳电池仿真研究被引量：3
- 2010年
- 运用AMPS软件,对TCO/p-a-SiC∶H/i-a-Si∶H/n-a-Si∶H/metal型非晶硅薄膜太阳电池进行了仿真研究,重点模拟和分析了电池性能参数随i层和n层厚度变化的规律。结果表明,为了获得电池转换效率和短路电流密度的最大值,n层非晶硅薄膜应尽可能地减小厚度,而i层非晶硅薄膜厚度最好控制在500～700nm范围内。
- 曾睿何世东龚宇光严来军李伟
- 关键词：薄膜太阳电池非晶硅计算机仿真
- a-Si∶H薄膜的磷-碳二元复合掺杂改性研究
- 2010年
- 以SiH4,PH3,CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4流量制备了磷、碳二元掺杂非晶硅薄膜,研究了磷、碳二元掺杂对薄膜微观结构和光学性能的影响。用X射线光电子能谱仪(XPS)观察到了C-Si峰的存在,同时发现随着CH4流量的增加,薄膜中C元素含量逐渐增大。傅里叶转换红外光谱(FTIR)测试表明,掺杂薄膜中的H含量随着CH4流量的增加逐渐增大,由11.5%增大到24.6%。光学性能测试表明,随着CH4流量的增加,掺杂薄膜的折射率逐渐降低,而光学带隙逐渐增加。
- 蔡海洪李伟蒋亚东龚宇光李志
- 关键词：XPSFTIR
- 氢化硅薄膜的晶化机理研究被引量：5
- 2008年
- 采用PECVD工艺制备了非晶,微晶和多形硅薄膜,研究了电极间热梯度对氢化硅薄膜结构的影响.根据拉曼光谱得到了微晶硅的晶化率,并在椭偏仪中用BEMA模型验证了其准确性.根据理论模型研究了热梯度对微晶和多形硅薄膜沉积机理的影响.研究薄膜厚度对晶化率的影响表明微晶薄膜底端和表面之间存在晶化梯度,而多形硅薄膜中无晶化梯度存在.采用Tauc-Lorentz模型拟合得到薄膜的结构参数表明非晶硅薄膜的致密度和有序度低,而多形硅和微晶硅薄膜的有序度、致密度相近,且明显高于非晶硅.
- 李世彬吴志明李伟于军胜蒋亚东廖乃镘
- 关键词：晶化热梯度
- 非晶硅微测辐射热计热学和光学分析
- 本文通过理论计算得到了桥腿长度和宽度与热导和桥面温升之间的线性关系,辐射功率和桥面温升之间的线性关系,并利用ANSYS软件对线性关系进行模拟验证.根据光学导纳矩阵法,利用MatLab软件模拟微测辐射热计对红外线的吸收率,...
- 李世彬吴志明蒋亚东李伟廖乃镘
- 关键词：微测辐射热计非晶硅有限元
- 文献传递
- 衬底温度对用RF-PECVD法制备的非晶硅薄膜光学性能影响被引量：10
- 2007年
- 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)工艺制备非晶硅(a-Si:H)薄膜,KBr衬底在175-275℃范围内变化,用傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度的变化情况,结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随衬底温度的变化规律.光谱式椭圆偏振仪中用ForouhiBloomer(FB)模型拟合得到薄膜的折射率(n),消光系数(k),膜厚及光学禁带宽度(Eg),并用扫描电镜(SEM)断面分析对椭偏仪测试结果的准确性进行验证.根据Tauc公式推出薄膜的Eg和截止波长,并和FB模型得到的结果进行了比较,Eg(FB)和Eg(Tauc)的差值在0.015eV内.
- 李世彬吴志明朱魁鹏蒋亚东李伟廖乃镘
- 关键词：非晶硅光学常数
- 椭偏透射法测量氢化非晶硅薄膜厚度和光学参数被引量：10
- 2008年
- 针对多角度椭偏测量透明基片上薄膜厚度和光学参数时基片背面非相干反射光的影响问题,报道了利用椭偏透射谱测量等离子增强化学气相沉积法(PECVD)制备的a-Si:H薄膜厚度和光学参数的方法,分析了基片温度Ts和辉光放电前气体温度Tg的影响.研究表明,用椭偏透射法测量的a-Si:H薄膜厚度值与扫描电镜(SEM)测得的值相当,推导得到的光学参数与其他研究者得到的结果一致.该方法可用于生长在透明基片上的其他非晶或多晶薄膜.
- 廖乃镘李伟蒋亚东匡跃军祁康成李世彬吴志明
- 关键词：椭偏测量光学参数氢化非晶硅薄膜
- 气体压强对非晶硅薄膜光学特性的影响被引量：11
- 2008年
- 采用RF-PECVD工艺在20～100Pa范围内改变a-Si：H薄膜沉积工作气体压强。傅立叶红外光谱仪（FTIR）测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随工作气体压强的变化情况，结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随工作气体压强变化规律。光谱式椭偏仪中用Forouhi Bloomer（FB）模型拟合得到薄膜的折射率（n），消光系数（k），厚度及光学禁带Eg，并用扫描电镜（SEM）断面分析对椭偏仪测试结果的准确性进行验证。根据Tauc公式推出薄膜的光学禁带宽Eg和截止波长，并和FB模型得到结果进行了比较，Eg（FB）和Eg（Tauc）的差值在11meV内。原子力显微镜（AFM）和X射线衍射（XRD）表征了工作气体压强对a-Si：H薄膜微结构的影响。
- 李世彬吴志明朱魁鹏蒋亚东李伟廖乃镘
- 关键词：非晶硅沉积速率
- 非晶硅微测辐射热探测器的现状与发展被引量：1
- 2009年
- 基于非晶硅薄膜材料的微测辐射热探测器凭借其成本低、结构简单、可大规模生产等优势,在过去十几年间发展迅速,其焦平面阵列由最初的160×120小规模发展到目前的1024×768大规模,像元间距也由50μm减少到17μm。简要介绍了作为微测辐射热探测器的热敏电阻材料的优缺点,重点评述了具有代表性的非晶硅微测辐射热探测器的研究现状及发展趋势。
- 龚宇光李伟蒋亚东陈超蔡海洪李志
- 关键词：非晶硅阵列结构性能特点
- 二氧化硅的反应离子刻蚀工艺研究被引量：9
- 2012年
- 采用CHF3、CF4、CHF3+CF4、CHF3+O2和CF4+O2五种工艺气体体系对二氧化硅(SiO2)作反应离子刻蚀实验,在确定最优刻蚀气体基础上,研究射频功率和气体流量配比对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响。通过对实验结果比较分析,确定了刻蚀速率79nm/min、非均匀性4%、对光刻胶的选择比0.81的优化工艺。
- 杨光苟君李伟袁凯
- 关键词：反应离子刻蚀二氧化硅刻蚀速率
