韩玉鹏
- 作品数：12 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 多通道幅相控制芯片
- 本发明适用于集成电路技术领域，提供了一种多通道幅相控制芯片，包括上层芯片和下层芯片；所述上层芯片上设有第一控制端、译码电路以及至少一个通道的控制电路；所述下层芯片上设有第二控制端、功分器和至少一个通道的射频电路；所述上层...
- 王凯白银超马寒啸王磊赵瑞华袁彪韩玉鹏刘乐乐董雪祁广峰苏辰飞王云飞
- 一种正电控制低温漂单片数控衰减器被引量：1
- 2014年
- 数控衰减器在宽频带内具有高的衰减精度、优良的电压驻波比和大的衰减动态范围，因而得到了推广和应用。正电控制、低温漂6bit数控衰减器，各衰减位均采用具有低温漂特性的桥T型结构，并通过对衰减结构的合理构建，在不采用电平转换驱动器的情况下，成功实现正电控制，面积得到进一步缩小。对电路进行了仿真与优化，采用GaAs工艺技术完成了流片，测试结果表明，在2．4～8GHz频带内，参考态插入损耗小于4．0dB；衰减精度小于±1dB@31．5dB；回波损耗小于-15dB；衰减量在高温或低温时较常温时的偏差控制在0．3dB以内；各衰减位为0．5，1，2，4，8和16dB，最大衰减量为31．5dB。单片数控衰减器芯片最终尺寸为2．9mm×1．3mm，控制电压为0V和5V。
- 韩玉鹏赵国庆赵瑞华王凯甄建宇
- 关键词：低温漂数控衰减器砷化镓
- T/R组件的MMIC设计技术研究
- T/R组件是有源阵列天线的基本组成单元,在综合射频系统、相控阵天线、全数字雷达等领域具有广泛的应用。将单片微波集成电路(MMIC)技术用于T/R组件,具有体积小、重量轻、一致性好、可靠性高等诸多优点,是现代 T/R组件的...
- 韩玉鹏
- 关键词：单片微波集成电路T/R组件幅相控制拓扑结构
- 文献传递
- K波段GaN大功率开关芯片的设计与实现
- 2023年
- 为分析氮化镓(Gallium Nitride,GaN)开关芯片的功率压缩机理,基于0.15μm GaN pHEMT工艺技术,采用了有效的电路拓扑,设计并实现了一款可应用于K波段的GaN大功率开关芯片。测试结果表明,该大功率开关芯片在18~22 GHz的频率范围,0.1 dB输入压缩的功率点可达到连续波12 W,开关插损1.1 dB,隔离度32 dB。控制电压为0 V和-28 V这2个互补电平,芯片尺寸为1.90 mm×1.50 mm×0.08 mm,满足实际工程应用的需求。
- 陈然韩玉鹏
- 关键词：K波段功率开关
- 光纤阵列耦合方法
- 本发明适用于光纤阵列耦合技术领域，提供了一种光纤阵列耦合方法，包括：在对光纤阵列进行耦合前，将预设材料包覆在光纤阵列的光纤端面上，其中，预设材料为在第一温度下呈固相或液相、在第二温度下呈气相、且无液相或液相态绝缘的材料，...
- 康晓晨许向前孔令甲周彪李宇孙雷毛思博王子杰胡丹秦立峰孔伟东刘兰坤胡占奎韩玉鹏丁珂郭建
- 一种制备钉头凸点的方法及钉头凸点
- 本发明适用于倒装芯片技术领域，提供了一种制备钉头凸点的方法及钉头凸点。其中，所述方法包括：在金属丝的尾端熔出第一金属球；将所述第一金属球焊接在载体上的预设位置，形成第一凸点；在所述金属丝与所述第一凸点的连接处熔出第二金属...
- 杨彦锋王磊徐达张延青张卫青赵瑞华刘帅王凯冯涛陈然韩玉鹏刘乐乐
- 文献传递
- 3D异构芯片的制备方法、3D异构芯片和衰减器
- 本发明提供一种3D异构芯片的制备方法、3D异构芯片和衰减器。该制备方法包括：获取第一IC芯片，第一IC芯片为III‑V族化合物半导体芯片；在第一IC芯片的下表面上的第一预设位置制备第一金属屏蔽层；获取第二IC芯片，第二I...
- 韩玉鹏刘海峰王磊要志宏戴剑刘乐乐梁家铖高显苏辰飞武世英申靖轩程泽普王杰杨宇峰王树朋
- 微波功率开关电路、装置及控制方法
- 本发明提供一种微波功率开关电路、装置及控制方法。该电路包括射频输入端口、第一匹配元件、第二匹配元件、至少一个射频输出端口和至少一个开关模块；开关模块和射频输出端口一一对应；开关模块包括第一开关支路；第一开关支路包括第一开...
- 郝俊祥刘飞飞卜爱民王磊陈南庭刘帅戴剑王凯冯涛郭丰强韩玉鹏傅琦宋作奇苏晓晨
- 陀螺仪的温度补偿方法及装置
- 本发明涉及惯性测量技术领域，提供一种陀螺仪的温度补偿方法及装置。该方法包括：对陀螺仪进行温度循环测试，得到测试参数；根据测试参数，确定陀螺仪的状态方程；根据状态方程，确定最优预估方程；获取陀螺仪的当前测试参数，并采用最优...
- 王凯郭松林钱丽勋刘伟马文涛李海剑焦帅徐佳邹志辉董雪孔伟东王军彦胡欣媛韩玉鹏
- 一款超宽带GaAs单片数字移相器被引量：2
- 2013年
- 分析了单片数字移相器的移相原理，详细介绍了每一个基本移相位的设计方法及结构，基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺技术设计并制作了一款超宽带6bit数字移相器。采用ADSMomentum微波设计环境进行了电路仿真，在中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs工艺线上进行了工艺流片并进行了在片测试。测试结果表明，6bit数控移相器在工作频率为8—12GHz时，主要移相态的均方根相位误差（RMS）值小于2．0°，回波损耗小于一11dB，插入损耗为8．0～9．5dB，插损波动为-0．5～0．8dB，控制电压为-5V／0V。6bit数字移相器的电路尺寸为4．1mm×1．5mm，并行输入控制信号，其有效工作带宽达到了40％。
- 甄建宇陈娜赵瑞华王凯韩玉鹏
- 关键词：超宽带数字移相器
