- 一款超宽带GaAs单片数字移相器被引量：2
- 2013年
- 分析了单片数字移相器的移相原理，详细介绍了每一个基本移相位的设计方法及结构，基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺技术设计并制作了一款超宽带6bit数字移相器。采用ADSMomentum微波设计环境进行了电路仿真，在中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs工艺线上进行了工艺流片并进行了在片测试。测试结果表明，6bit数控移相器在工作频率为8—12GHz时，主要移相态的均方根相位误差（RMS）值小于2．0°，回波损耗小于一11dB，插入损耗为8．0～9．5dB，插损波动为-0．5～0．8dB，控制电压为-5V／0V。6bit数字移相器的电路尺寸为4．1mm×1．5mm，并行输入控制信号，其有效工作带宽达到了40％。
- 甄建宇陈娜赵瑞华王凯韩玉鹏
- 关键词：超宽带数字移相器
- 一种低插损大衰减量的MMIC 6位数控衰减器
- 随着微波通信的不断发展,通信系统中不断的需要高性能、小型化集成电路来满足用户越来越复杂的要求。而砷化镓微波单片集成电路的出现正是顺应了这样的要求。单片电路器件的密度高、重量小、设计方便、可靠性强、工作频带宽及耗电非常少等...
- 甄建宇
- 关键词：数控衰减器插入损耗电路版图
- 文献传递
- 一种正电控制大衰减量的6bit单片数控衰减器被引量：5
- 2013年
- 分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC～2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器。并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平,成功实现了正电控制,对单片电路进行了仿真与优化,采用GaAs工艺技术完成了流片。测试结果表明,在DC～2 GHz频带内,衰减步进1 dB,最大衰减量63 dB,插入损耗小于1.7 dB,衰减精度小于±0.1 dB@1 dB～4 dB;小于±0.8 dB@8 dB～32 dB;小于±1.3 dB@48 dB～63 dB,两个端口在所有态下的驻波比小于1.2∶1。单片数控衰减器芯片尺寸为3.0 mm×2.0 mm,控制电压为0和5 V。
- 甄建宇王清源赵瑞华刘金王凯
- 关键词：数控衰减器微波单片集成电路数模混合
- 紧凑型带状线低通滤波器的设计与研究
- 基于广义切比雪夫滤波器综合理论,本文设计了一个0-8GHz紧凑型带状线阶跃阻抗低通滤波器。该滤波器采用很高和很低特性阻抗的传输线段交替排列的蛇形线结构,这样不仅使得滤波器的阻带衰减斜率陡的多,而且其结构更加紧凑,尺寸也大...
- 陈娜甄建宇陈勇
- 关键词：低通滤波器阶跃阻抗
- 文献传递
- 一种正电控制低温漂单片数控衰减器被引量：1
- 2014年
- 数控衰减器在宽频带内具有高的衰减精度、优良的电压驻波比和大的衰减动态范围，因而得到了推广和应用。正电控制、低温漂6bit数控衰减器，各衰减位均采用具有低温漂特性的桥T型结构，并通过对衰减结构的合理构建，在不采用电平转换驱动器的情况下，成功实现正电控制，面积得到进一步缩小。对电路进行了仿真与优化，采用GaAs工艺技术完成了流片，测试结果表明，在2．4～8GHz频带内，参考态插入损耗小于4．0dB；衰减精度小于±1dB@31．5dB；回波损耗小于-15dB；衰减量在高温或低温时较常温时的偏差控制在0．3dB以内；各衰减位为0．5，1，2，4，8和16dB，最大衰减量为31．5dB。单片数控衰减器芯片最终尺寸为2．9mm×1．3mm，控制电压为0V和5V。
- 韩玉鹏赵国庆赵瑞华王凯甄建宇
- 关键词：低温漂数控衰减器砷化镓
- 基于cascode结构的Ka频段CMOS功率放大器设计
- 2021年
- 文章通过分析共源共栅功率放大器的基本原理,提出了一种新颖的基于cascode级间电路结构,通过优化电路级间的阻抗匹配的设计思路。同时采用55 nm RF CMOS硅基工艺设计并制作出一款工作于Ka频段的功率放大器。与传统的CMOS功率放大器相比,具有高增益、低功耗、高功率等特点。经过实物加工及裸片测试,结果表明设计的功率放大器在工作频率为27~32 GHz时,小信号增益为19~20 dB,输出1 dB压缩点为12 dBm,最大饱和输出功率为15 dBm,最大功率附加效率为21.5%,该放大器芯片尺寸为780μm×710μm。
- 甄建宇陈娜
- 关键词：功率放大器共源共栅CMOS
- 相控体制的多通道微波发生装置及其频率源芯片
- 本申请适用于微波技术领域，提供了一种相控体制的多通道微波发生装置及其频率源芯片。该频率源芯片包括至少两个频率源通道，每个频率源通道包括信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元；信号产生单元用于产生预设频率的第一...
- 杨强刘荣军甄建宇宋学峰李康禾牛红伟刘健周泽军
- 文献传递
- 硅基芯片TRL校准件的设计与制作
- 2020年
- 为了满足在K/Ka频带下设计硅基芯片电路时对器件模型精确测试的要求,文章分析了实现精确校准的硅基芯片TRL校准技术。根据TRL校准原理设计并制作了相应的校准件,用去嵌入的方式提取了片上电感、电容模型。在20 GHz~ 30 GHz高频应用中,验证了模型的准确性。实际测试结果表明该校准件达到了预期效果,仿真值与实测值拟合一致性好。
- 甄建宇陈娜
- 关键词：去嵌入
- 一种差分放大器的输入阻抗匹配方法
- 本发明属于射频微波放大器技术领域，具体公开了一种差分放大器的输入阻抗匹配方法，该方法首先构建输入阻抗匹配电路的初始模型，然后对初始模型中的电容、电感及耦合系数进行调整，最后获得最终模型。本发明采用带源极负反馈电感的差分放...
- 吕子豪甄建宇徐军
- 相控体制的多通道微波发生装置及其频率源芯片
- 本申请适用于微波技术领域，提供了一种相控体制的多通道微波发生装置及其频率源芯片。该频率源芯片包括至少两个频率源通道，每个频率源通道包括信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元；信号产生单元用于产生预设频率的第一...
- 杨强刘荣军甄建宇宋学峰李康禾牛红伟刘健周泽军
- 文献传递
