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朱煜开

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇电路
  • 3篇集成电路
  • 2篇单芯片
  • 2篇金属工艺
  • 2篇金属化
  • 2篇夹具
  • 1篇等离子刻蚀
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇低功耗
  • 1篇电路制造
  • 1篇氧化物
  • 1篇湿法腐蚀
  • 1篇双极电路
  • 1篇双极集成电路
  • 1篇铜表面
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇芯片
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇铝硅
  • 1篇模拟集成电路

机构

  • 5篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 5篇朱煜开
  • 2篇张正元
  • 1篇许生健
  • 1篇谭开洲
  • 1篇唐昭焕
  • 1篇刘玉奎
  • 1篇王大平
  • 1篇王斌
  • 1篇欧宏旗
  • 1篇张扬波
  • 1篇梁涛
  • 1篇黄磊
  • 1篇阚玲

传媒

  • 3篇微电子学

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
等离子刻蚀铝硅铜表面质量控制技术研究
2012年
针对等离子刻蚀AlSiCu表面质量差、易被腐蚀、铜残留等问题,对采用等离子刻蚀的圆片进行烘焙以及使用混合溶液对圆片进行处理等方式,解决了AlSiCu腐蚀、铜残留以及表面发雾等圆片表面质量问题,得到了优化的AlSiCu刻蚀表面质量控制条件。使用优化刻蚀工艺条件,极大地提升了用AlSiCu作金属互连的模拟IC的表面镜检合格率,为其他金属互连的表面质量控制提供了参考。
王大平唐昭焕梁涛朱煜开王斌谭开洲
关键词:等离子体刻蚀金属互连
双极电路欧姆接触问题的工艺分析与解决方案被引量:2
2007年
为解决一种双极集成电路在生产中欧姆接触电阻过大的问题,针对关键工艺进行了统计分析和专项实验,找到了问题的原因和解决方法,对提高大规模集成电路的工艺制造稳定性具有非常重要的意义。
阚玲张扬波许生健朱煜开
关键词:双极集成电路欧姆接触湿法腐蚀
一种高压低功耗比较器电路的设计
2023年
提出了一种高压低功耗比较器电路。该电路基于0.5μm CMOS工艺设计,采用差分对单端输出结构,利用高压PMOS尾电流进行偏置,实现了降低功耗的目的。结果表明,该电路静态电流约为8.25μA,工作电压范围为3~18 V,输入失调电压为5 mV,输入失调电流约6 fA,输入偏置电流约2.5 pA。该电路适用于低功耗、高压模拟模拟集成电路领域。
欧宏旗刘玉奎付晓伟黄磊朱煜开殷万军汪璐
关键词:低功耗比较器模拟集成电路
单芯片背面金属工艺夹具
本发明涉及一种单芯片背面金属工艺夹具,该夹具包括有圆片承片基座、U形定位框、固定压块、硅固定挡条,硅垫片等七大部分。采用本发明夹具后,由于没有残胶、芯片的擦伤减少,其背面的金属纯度提高,因而大幅提高了芯片背面金属工艺的成...
曹阳许小军周世远朱煜开张正元徐俊
文献传递
单芯片背面金属工艺夹具
本发明涉及一种单芯片背面金属工艺夹具,该夹具包括有圆片承片基座、U形定位框、固定压块、硅固定挡条,硅垫片等七大部分。采用本发明夹具后,由于没有残胶、芯片的擦伤减少,其背面的金属纯度提高,因而大幅提高了芯片背面金属工艺的成...
曹阳许小军周世远朱煜开张正元徐俊
文献传递
共1页<1>
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