黄磊
- 作品数：21 被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程经济管理更多>>
- 一种时钟控制信号产生电路及方法
- 本发明适用于集成电路技术领域，提供一种时钟控制信号产生电路及方法，其中，该方方法包括：对N个供电电源进行检测，得到并输出N个一一对应的第一复位信号，其中，N为大于等于2的整数；将N个所述第一复位信号转换为目标电源域内一一...
- 黄磊税国华付晓伟林涛王志宽王飞李智囊冉明常小宇汪璐
- 高压半导体介质耐压终端
- 本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料...
- 谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
- 文献传递
- 一种注入增强型快速SOI-LIGBT新结构研究
- 2024年
- 薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Injection Enhancement, IE)快速LIGBT新结构器件(F-IE-LIGBT),并对其工作机理进行了理论分析和模拟仿真验证。该新结构F-IE-LIGBT器件整体构建在薄顶层硅SOI衬底材料上,其集电极采用注入增强结构和电势控制结构设计。器件及电路联合模拟仿真说明:新结构F-IE-LIGBT器件在获得较小正向饱和电压的同时,减小了关断拖尾电流,实现了快速关断特性。新结构F-IE-LIGBT器件非常适用于SOI基高压功率集成电路。
- 黄磊李健根陆泽灼俞齐声陈文锁
- 关键词：SOI
- 一种MEMS拱形结构的制造方法
- 本发明公开了一种MEMS拱形结构的制造方法，通过运用牺牲层技术、选择性化学机械抛光以及镀膜技术，制作出一种新颖的MEMS拱形结构。本发明制作的拱形结构能实现微米级结构，工艺简单、制作效率高；由于采用低温工艺，避免了高温退...
- 陈俊杨增涛吴建黄磊徐俊
- 文献传递
- 高压半导体介质耐压终端
- 本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料...
- 谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
- 文献传递
- 一种高压低功耗比较器电路的设计
- 2023年
- 提出了一种高压低功耗比较器电路。该电路基于0.5μm CMOS工艺设计,采用差分对单端输出结构,利用高压PMOS尾电流进行偏置,实现了降低功耗的目的。结果表明,该电路静态电流约为8.25μA,工作电压范围为3~18 V,输入失调电压为5 mV,输入失调电流约6 fA,输入偏置电流约2.5 pA。该电路适用于低功耗、高压模拟模拟集成电路领域。
- 欧宏旗刘玉奎付晓伟黄磊朱煜开殷万军汪璐
- 关键词：低功耗比较器模拟集成电路
- 离子注入均匀性测试方法
- 尹航黄磊薛智民王晨杰王志宽张彦秀顾祥贾新章游海龙罗晓羽李锟廖昕赖庆华
- 多晶硅发射极工艺技术研究
- 通过对多晶硅发射极工艺的研究，优化多晶硅淀积工艺，界面氧化层控制在3nm左右，穿透电阻降低到2.5Ω/口，有效提高了发射效率，实现多晶硅发射极工艺稳定，多晶硅发射极工艺制作的NPN管单管频率提高到4GHz，满足高速运算放...
- 黄磊税国华陈俊肖可
- 关键词：集成电路多晶硅
- 成套硅基抗辐射高压CMOS器件集成结构及其制造方法
- 本发明公开一种成套硅基抗辐射高压CMOS器件集成结构及制造方法，器件集成结构包含：对称/非对称nLDMOS、对称/非对称pLDMOS、多晶高阻、MOS电容等器件。制造方法是在P型衬底上先形成N型埋层，生长外延层，在外延层...
- 朱坤峰张广胜杨永晖徐青钟怡钱呈张培健杨法明裴颖黄磊
- 一种高压集成电容结构的可靠性研究
- 2014年
- 针对一种下极板独立的700V高压集成电容,进行了瞬态可靠性研究。研究表明,随着电容下极板尺寸的增加,电容的瞬态可靠性下降。用器件仿真软件MEDICI计算得出,在瞬态电压上升沿为200ns的情况下,电容下极板最大可靠宽度为124μm;同时,还得出一系列上升沿时间小于200ns的电容结构下极板最大可靠宽度。
- 王坤谭开洲唐昭焕殷万军罗俊黄磊王斌
- 关键词：高压集成电路电容可靠性
