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吴然嵩

作品数:6 被引量:11H指数:1
供职机构:北京航空航天大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程理学轻工技术与工程更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇理学

主题

  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 3篇等离子体
  • 3篇多层膜
  • 3篇真空镀膜
  • 3篇真空镀膜设备
  • 3篇真空设备
  • 3篇气相沉积
  • 3篇氩弧
  • 3篇氩弧焊
  • 3篇弧焊
  • 2篇电池
  • 2篇纳米硅
  • 2篇纳米硅薄膜
  • 2篇硅薄膜
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇叠层
  • 1篇叠层太阳电池
  • 1篇真空

机构

  • 6篇北京航空航天...
  • 2篇英利集团有限...

作者

  • 6篇刘嘉
  • 6篇张维佳
  • 6篇吴然嵩
  • 6篇张冷
  • 5篇孙月峰
  • 4篇马强
  • 2篇马强
  • 1篇马晓波
  • 1篇张辉

传媒

  • 1篇表面技术
  • 1篇功能材料

年份

  • 3篇2013
  • 3篇2012
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备
一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备,它是一种形状、构造相同的连续性结构,该结构是由左法兰、主真空腔室、隔离板、高真空密封阀门装置、副真空腔室、右法兰、大密封板从左到右依序排列而组成,左法兰和主真空腔室之间采用氩弧焊连...
张维佳刘嘉马强孙月峰张冷吴然嵩
铜铟镓硒薄膜的真空制备工艺及靶材研究现状被引量:11
2013年
阐述了两种真空法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的工艺原理和工艺过程,比较和分析了两工艺的优缺点;介绍了溅射靶材的熔融铸造法和粉末冶金法,列举了靶材制备中所需的温度、压强、保温时间等参数。最后分析认为,用均匀细小的黄铜矿相CIGS粉末压制烧结成四元靶材,经溅射成膜后退火处理,可制备出优异的CIGS薄膜,具有更广阔的应用前景。
张冷张维佳宋登元张辉张雷马强刘嘉吴然嵩马晓波
关键词:CIGS真空
一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备
一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备,它是一种形状、构造相同的连续性结构,该结构是由左法兰、主真空腔室、隔离板、高真空密封阀门装置、副真空腔室、右法兰、大密封板从左到右依序排列而组成,左法兰和主真空腔室之间采用氩弧焊连...
张维佳刘嘉马强孙月峰张冷吴然嵩
文献传递
一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备
一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备,它是一种形状、构造相同的连续性结构,该结构是由左法兰、主真空腔室、隔离板、高真空密封阀门装置、副真空腔室、右法兰、大密封板从左到右依序排列而组成,左法兰和主真空腔室之间采用氩弧焊连...
张维佳刘嘉马强孙月峰张冷吴然嵩
文献传递
一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光实时监控制备方法
一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光实时监控制备方法,它有五大步骤:一、采用湿化学法对单晶硅片进行各向异性腐蚀,获得金字塔状的绒面硅片衬底;二、采用热蒸发方法或磁控溅射方法制备纳米硅薄膜太阳能电池的背电极;三:采用等离子体...
张维佳刘嘉马强孙月峰张冷吴然嵩
文献传递
掺硼和掺磷的氢化纳米硅薄膜及其应用于类叠层太阳电池的研究
2013年
采用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了掺硼和掺磷的氢化纳米硅薄膜(nc-Si∶H),并将其应用于纳米硅薄膜类叠层太阳电池中。分析了薄膜样品的光学性能及表面形貌,结果表明:P型掺硼纳米硅薄膜的光学带隙为2.189 eV,电导率为8.01 S/cm,霍尔迁移率为0.521 cm2/(V.S),载流子浓度为9.61×1019/cm3;N型掺磷纳米硅薄膜的光学带隙为1.994 eV,电导率为1.93 S/cm,霍尔迁移率为1.694 cm2/(V.S),载流子浓度为7.113×1018/cm3;两者的晶粒尺寸都在3~5 nm之间,晶态比都在35%~45%之间,并且颗粒沉积紧密,大小比较均匀。制备了大小为20 mm×20 mm,结构为Al/AZO/p-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/n-nc-Si∶H/p-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/n-c-Si/Al背电极的纳米硅薄膜类叠层太阳电池,通过I-V曲线测试,其VOC达到544.3 mV,ISC达到85.6 mA,填充因子为65.7%。
孙月峰张维佳宋登元刘嘉张雷马强吴然嵩张冷
关键词:RF-PECVD掺硼掺磷纳米硅薄膜
共1页<1>
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