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孙月峰

作品数:11 被引量:0H指数:0
供职机构:北京航空航天大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电气工程电子电信轻工技术与工程更多>>

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇电气工程
  • 5篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 8篇电池
  • 8篇纳米硅
  • 8篇纳米硅薄膜
  • 8篇硅薄膜
  • 7篇太阳电池
  • 6篇薄膜太阳电池
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 4篇气相沉积
  • 3篇等离子体
  • 3篇多层膜
  • 3篇真空镀膜
  • 3篇真空镀膜设备
  • 3篇真空设备
  • 3篇氩弧
  • 3篇氩弧焊
  • 3篇弧焊
  • 3篇硅基
  • 3篇硅基薄膜
  • 3篇硅基薄膜太阳...

机构

  • 11篇北京航空航天...
  • 1篇英利集团有限...

作者

  • 11篇刘嘉
  • 11篇孙月峰
  • 11篇张维佳
  • 7篇马强
  • 6篇杨东杰
  • 6篇林军
  • 5篇吴然嵩
  • 5篇张冷
  • 4篇马强

传媒

  • 2篇2011中国...
  • 1篇表面技术

年份

  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 6篇2011
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高电导率P型纳米硅薄膜的制备及其在薄膜太阳电池中的应用
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,以高氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,氢气(H2)为稀释气体,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜,分别研究了衬...
杨东杰张维佳林军Jean Jacques HAVUGIMANA刘嘉孙月峰马强
关键词:RF-PECVD掺硼太阳电池
文献传递
高电导率P型纳米硅薄膜的制备及其在薄膜太阳电池中的应用
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,以高氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,氢气(H2)为稀释气体,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜,分别研究了衬...
杨东杰张维佳林军Jean Jacques HAVUGIMANA刘嘉孙月峰马强
关键词:化学气相沉积法光电性能太阳电池
文献传递
一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备
一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备,它是一种形状、构造相同的连续性结构,该结构是由左法兰、主真空腔室、隔离板、高真空密封阀门装置、副真空腔室、右法兰、大密封板从左到右依序排列而组成,左法兰和主真空腔室之间采用氩弧焊连...
张维佳刘嘉马强孙月峰张冷吴然嵩
高品质AZO制备及其在硅基薄膜太阳电池中的应用
林军张维佳杨东杰Jean Jacques HAVUGIMANA孙月峰刘嘉马强
关键词:直流磁控溅射衬底温度纳米硅薄膜太阳电池
高品质AZO制备及其在硅基薄膜太阳电池中的应用
以自制的高电导、高致密度的掺铝氧化锌陶瓷靶为靶材,采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(AZO)薄膜.研究了衬底温度对AZO薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响,并成功将其应用于纳米硅薄膜太阳电池的透明导电...
林军张维佳杨东杰Jean Jacques HAVUGIM A孙月峰刘嘉马强
关键词:纳米硅薄膜衬底温度光电性能
文献传递
一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备
一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备,它是一种形状、构造相同的连续性结构,该结构是由左法兰、主真空腔室、隔离板、高真空密封阀门装置、副真空腔室、右法兰、大密封板从左到右依序排列而组成,左法兰和主真空腔室之间采用氩弧焊连...
张维佳刘嘉马强孙月峰张冷吴然嵩
文献传递
一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备
一种等离子体增强型化学气相沉积真空设备,它是一种形状、构造相同的连续性结构,该结构是由左法兰、主真空腔室、隔离板、高真空密封阀门装置、副真空腔室、右法兰、大密封板从左到右依序排列而组成,左法兰和主真空腔室之间采用氩弧焊连...
张维佳刘嘉马强孙月峰张冷吴然嵩
文献传递
高品质AZO制备及其在硅基薄膜太阳电池中的应用
以自制的高电导、高致密度的掺铝氧化锌陶瓷靶为靶材,采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(AZO)薄膜。研究了衬底温度对AZO薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响,并成功将其应用于纳米硅薄膜太阳电池的透明导电...
林军张维佳杨东杰Jean Jacques HAVUGIMANA孙月峰刘嘉马强
关键词:直流磁控溅射衬底温度纳米硅薄膜太阳电池
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一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光实时监控制备方法
一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光实时监控制备方法,它有五大步骤:一、采用湿化学法对单晶硅片进行各向异性腐蚀,获得金字塔状的绒面硅片衬底;二、采用热蒸发方法或磁控溅射方法制备纳米硅薄膜太阳能电池的背电极;三:采用等离子体...
张维佳刘嘉马强孙月峰张冷吴然嵩
文献传递
掺硼和掺磷的氢化纳米硅薄膜及其应用于类叠层太阳电池的研究
2013年
采用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了掺硼和掺磷的氢化纳米硅薄膜(nc-Si∶H),并将其应用于纳米硅薄膜类叠层太阳电池中。分析了薄膜样品的光学性能及表面形貌,结果表明:P型掺硼纳米硅薄膜的光学带隙为2.189 eV,电导率为8.01 S/cm,霍尔迁移率为0.521 cm2/(V.S),载流子浓度为9.61×1019/cm3;N型掺磷纳米硅薄膜的光学带隙为1.994 eV,电导率为1.93 S/cm,霍尔迁移率为1.694 cm2/(V.S),载流子浓度为7.113×1018/cm3;两者的晶粒尺寸都在3~5 nm之间,晶态比都在35%~45%之间,并且颗粒沉积紧密,大小比较均匀。制备了大小为20 mm×20 mm,结构为Al/AZO/p-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/n-nc-Si∶H/p-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/n-c-Si/Al背电极的纳米硅薄膜类叠层太阳电池,通过I-V曲线测试,其VOC达到544.3 mV,ISC达到85.6 mA,填充因子为65.7%。
孙月峰张维佳宋登元刘嘉张雷马强吴然嵩张冷
关键词:RF-PECVD掺硼掺磷纳米硅薄膜
共2页<12>
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