您的位置： 专家智库 > >

刘昕阳

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇湿法
  • 2篇湿法刻蚀
  • 2篇阻挡层
  • 2篇刻蚀
  • 2篇二极管
  • 1篇势垒
  • 1篇双阈值
  • 1篇阈值
  • 1篇阈值电压
  • 1篇硝酸
  • 1篇硝酸铈铵
  • 1篇离子注入
  • 1篇金属
  • 1篇工艺技术
  • 1篇光刻
  • 1篇分立器件
  • 1篇NICR
  • 1篇VDMOS器...
  • 1篇MCR

机构

  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 4篇刘昕阳
  • 3篇刘旸
  • 3篇唐冬
  • 3篇孔明
  • 2篇林洪春
  • 2篇马洪江
  • 1篇徐衡
  • 1篇白羽
  • 1篇马洪江

传媒

  • 1篇微处理机

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
二极管湿法刻蚀方法
本发明公开了二极管湿法刻蚀方法。该二极管湿法刻蚀方法包括以下步骤：a、腐蚀导电层及阻挡层，形成多个被腐蚀单元；b、腐蚀形成于多个被腐蚀单元间的粘附层；c、腐蚀多个被腐蚀单元的导电层的边缘部分及阻挡层的边缘部分，使被腐蚀单...
唐冬刘旸马洪江孔明林洪春刘昕阳
文献传递
二极管湿法刻蚀方法
本发明公开了二极管湿法刻蚀方法。该二极管湿法刻蚀方法包括以下步骤：a、腐蚀导电层及阻挡层，形成多个被腐蚀单元；b、腐蚀形成于多个被腐蚀单元间的粘附层；c、腐蚀多个被腐蚀单元的导电层的边缘部分及阻挡层的边缘部分，使被腐蚀单...
唐冬刘旸马洪江孔明林洪春刘昕阳
文献传递
双阈值VDMOS器件的制作方法
本发明公开了一种双阈值VDMOS器件的制作方法，属于分立器件技术领域。该方法通过对P体区的形成过程进行改进，获得具有两个阈值电压的VDMOS器件，P体区改进工艺：制备多晶硅栅极后，光刻P‑离子注入窗口，在栅极两侧形成两个...
唐冬刘旸刘昕阳白羽徐衡孔明郑阳
文献传递
NiCr势垒腐蚀工艺技术
2014年
传统的以NiCr为势垒层的肖特基产品在势垒合金完成后使用王水(硝酸:盐酸=1:3)去除多余的NiCr,但此方法过程不易控制,形成的势垒区也不十分平坦,而使用硝酸铈铵溶液去除NiCr不仅过程容易控制,且成品率高。通过对两种方法去除NiCr的对比,找到了更合适的肖特基产品的NiCr势垒层腐蚀方法。
马洪江刘昕阳
关键词：硝酸铈铵MCR
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0