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马洪江
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中国电子科技集团公司
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孔明
中国电子科技集团公司
刘昕阳
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唐冬
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刘旸
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马洪江
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一种VDMOS器件及其制造方法
本申请提供一种VDMOS器件的制造方法包括在衬底的外延层表面形成沟槽,在所述沟槽内沉积体内氧化层,在所述外延层之上形成栅极,所述栅极与所述体内氧化层接界,在所述外延层上,以与所述体内氧化层间隔一段距离的方式在所述体内氧化...
郑莹
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马洪江
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二极管湿法刻蚀方法
本发明公开了二极管湿法刻蚀方法。该二极管湿法刻蚀方法包括以下步骤:a、腐蚀导电层及阻挡层,形成多个被腐蚀单元;b、腐蚀形成于多个被腐蚀单元间的粘附层;c、腐蚀多个被腐蚀单元的导电层的边缘部分及阻挡层的边缘部分,使被腐蚀单...
唐冬
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一种针对DIP外壳的通用封装过程紧固和精确定位装置
本实用新型公开了一种针对DIP外壳的通用封装过程紧固和精确定位装置,属于DIP外壳封装技术领域。该装置包括主载物台、可动定位框和定位螺栓,其中:所述主载物台上设有承载凸台,承载凸台上设有真空吸附孔和增力槽,真空吸附孔下端...
李靖旸
赵鹤然
康敏
马洪江
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二极管湿法刻蚀方法
本发明公开了二极管湿法刻蚀方法。该二极管湿法刻蚀方法包括以下步骤:a、腐蚀导电层及阻挡层,形成多个被腐蚀单元;b、腐蚀形成于多个被腐蚀单元间的粘附层;c、腐蚀多个被腐蚀单元的导电层的边缘部分及阻挡层的边缘部分,使被腐蚀单...
唐冬
刘旸
马洪江
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