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林洪春

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇等位
  • 2篇电阻率
  • 2篇湿法
  • 2篇湿法刻蚀
  • 2篇阻挡层
  • 2篇刻蚀
  • 2篇硅片
  • 2篇二极管
  • 2篇分压
  • 2篇MOS器件
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇低压
  • 1篇淀积
  • 1篇钝化
  • 1篇压力调节
  • 1篇源极
  • 1篇内压
  • 1篇内压力
  • 1篇气相淀积

机构

  • 5篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 6篇林洪春
  • 3篇唐冬
  • 2篇孙佳佳
  • 2篇刘旸
  • 2篇王增智
  • 2篇马洪江
  • 2篇杨大为
  • 2篇刘昕阳
  • 2篇孔明
  • 1篇姜硕
  • 1篇周博
  • 1篇孙大成
  • 1篇徐衡
  • 1篇于东阳

传媒

  • 1篇微处理机

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
二极管湿法刻蚀方法
本发明公开了二极管湿法刻蚀方法。该二极管湿法刻蚀方法包括以下步骤：a、腐蚀导电层及阻挡层，形成多个被腐蚀单元；b、腐蚀形成于多个被腐蚀单元间的粘附层；c、腐蚀多个被腐蚀单元的导电层的边缘部分及阻挡层的边缘部分，使被腐蚀单...
唐冬刘旸马洪江孔明林洪春刘昕阳
文献传递
提高MOS器件击穿电压的方法及MOS器件
本申请提供了一种MOS器件，包括硅片基体，设置在所述硅片基体上的彼此间隔的源极、第一分压环和第二分压环，其中，所述第一分压环与所述源极通过金属连接以形成电压等位环。另外，本发明还提供了一种提高MOS器件击穿电压的方法。本...
林洪春杨大为孙佳佳王增智樊吉涛
文献传递
低压气相淀积Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>薄膜的制备方法
本发明公开了提供了一种低压气相淀积Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>薄膜的制备方法，该方法包括：a.向反应室内预通入一定量的NH<Sub>3</Sub>；b.向反应室内通入流量比为3:1的NH<Sub...
林洪春孙大成周博姜硕于东阳
文献传递
PECVD工艺中氮化硅薄膜龟裂研究被引量：2
2014年
PE氮化硅薄膜优异的物理、化学性能使其在半导体分立器件、IC电路中常被用作绝缘层、钝化层而使用。然而,氮化硅龟裂问题是影响其作为钝化层使用的阻碍因素,因此,科学的氮化硅工艺条件对其薄膜质量的影响非常关键。给出了等离子体化学气相淀积(PECVD)氮化硅薄膜技术的原理,通过实验验证,确定了诱发氮化硅龟裂现象的原因,优化工艺条件,确定了PECVD氮化硅的最佳工艺条件,杜绝了龟裂现象对氮化硅作为钝化层使用的影响。
徐衡林洪春唐冬
关键词：氮化硅薄膜钝化
二极管湿法刻蚀方法
本发明公开了二极管湿法刻蚀方法。该二极管湿法刻蚀方法包括以下步骤：a、腐蚀导电层及阻挡层，形成多个被腐蚀单元；b、腐蚀形成于多个被腐蚀单元间的粘附层；c、腐蚀多个被腐蚀单元的导电层的边缘部分及阻挡层的边缘部分，使被腐蚀单...
唐冬刘旸马洪江孔明林洪春刘昕阳
文献传递
MOS器件
本申请提供了一种MOS器件，包括硅片基体，设置在所述硅片基体上的彼此间隔的源极、第一分压环和第二分压环，其中，所述第一分压环与所述源极通过金属连接以形成电压等位环。本申请只需设置第一分压环和第二分压环，并通过将第一分压环...
林洪春杨大为孙佳佳王增智樊吉涛
文献传递
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