张有为
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中科院创新基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信更多>>
- 采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究被引量：4
- 2012年
- 采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3成核的关键,物理吸附水分子的均匀性直接影响Al2O3薄膜的均匀性.在适当的温度窗口(100～130℃),Al2O3可以均匀沉积在石墨烯上,AFM测得Al2O3薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm,X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明,120℃下在石墨烯表面沉积的Al2O3薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5.拉曼光谱分析表明,采用H2O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.
- 张有为万里程新红王中健夏超曹铎贾婷婷俞跃辉
- 关键词：石墨烯原子层沉积AL2O3薄膜
- 表面粗糙化来提高SiO2中纳米硅的拉曼强度
- 2011年
- 本文采用表面粗糙化的方法,在拉曼背散射配置下观察到SiO2中注入硅离子形成纳米硅的拉曼散射特征峰.运用声子限制模型对纳米硅的特征峰进行曲线拟合,得到纳米硅的平均晶粒尺寸是2.6nm.这个结果与透射电子显微镜直接观测的纳米硅尺寸非常符合.以上研究表明,表面粗糙化是一个非常有效的方法来提高拉曼散射强度,从而方便地研究纳米硅的拉曼特征,不会对纳米硅的物理性质发生影响.
- 张有为毕大炜公祥南边惠万里唐东升
- 关键词：纳米硅拉曼散射
- 原子层沉积工艺在石墨烯上沉积高K栅介质研究
- 石墨烯是一种由单层六角原胞碳原子组成的蜂窝状二维晶体，由于其具有高电子迁移率、室温弹道传输等突出的物理性能，已经引起了人们巨大的研究兴趣。这些优异的性能使石墨烯成为最有希望取代硅延续摩尔定律和制备纳电子器件的材料。然而要...
- 张有为
- 关键词：石墨烯原子层沉积高K栅介质
- 文献传递
- 基于SCR的SOI ESD保护器件研究
- 2012年
- 本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV。研究发现,注入剂量(9*13-8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高;Trench长度(0.8-1.1μm)增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低;场氧化层长度(2-4.5μm)增加,触发电压和维持电压均增加。
- 夏超王中健何大伟徐大伟张有为程新红俞跃辉
- 关键词：SOIESDSCR保护器件
