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杨明强

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：大连理工大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金高等学校学科创新引智计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇刻蚀
  • 5篇等离子体刻蚀
  • 3篇数值模拟
  • 3篇速度场
  • 3篇值模拟
  • 2篇元胞
  • 2篇数学
  • 2篇数学基础
  • 2篇数值模拟方法
  • 2篇水平集
  • 2篇内存
  • 2篇几何信息
  • 2篇编程
  • 2篇编程实现
  • 1篇等离子
  • 1篇等离子刻蚀
  • 1篇压强
  • 1篇物理化学
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇联合模拟

机构

  • 6篇大连理工大学

作者

  • 6篇杨明强
  • 5篇严培
  • 5篇阎军
  • 2篇戴忠玲
  • 2篇张维生

传媒

  • 1篇计算机辅助工...

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种用于等离子体刻蚀剖面演化的三维计算方法
本发明公开了一种用于等离子体刻蚀剖面演化的三维计算方法，在等离子体刻蚀剖面演化过程中，将刻蚀的初始剖面形状用初始的水平集函数加以描述，并通过重新初始化函数对初始的水平集函数进行修正，进一步通过等离子体流中的离子角度分布和...
阎军严培杨明强张维生
文献传递
基于CFD的等离子体刻蚀数值模拟与参数优化
随着集成电路规模的不断扩大和电子元器件表面特征尺寸的不断缩小，等离子体刻蚀凭借其独特的优越性而被广泛地应用到半导体制造领域。经过过去几十年的集中研究，等离子体刻蚀工艺已逐渐被人们掌握，但由于其分析与设计涉及流场、温度场、...
杨明强
关键词：等离子刻蚀刻蚀工艺数值模拟
文献传递
一种用于等离子体刻蚀的元胞-水平集联合模拟方法
本发明公开了一种用于等离子体刻蚀的元胞-水平集联合模拟方法，通过元胞方法将等离子体刻蚀的物理化学机制表达出来，得到等离子体刻蚀过程中的表面刻蚀速率，再将表面刻蚀速率作为水平集的速度场函数，模拟整个剖面的演化过程，得到等离...
阎军严培戴忠玲杨明强张赛谦
文献传递
一种用于等离子体刻蚀的元胞-水平集联合模拟方法
本发明公开了一种用于等离子体刻蚀的元胞-水平集联合模拟方法，通过元胞方法将等离子体刻蚀的物理化学机制表达出来，得到等离子体刻蚀过程中的表面刻蚀速率，再将表面刻蚀速率作为水平集的速度场函数，模拟整个剖面的演化过程，得到等离...
阎军严培戴忠玲杨明强张赛谦
文献传递
等离子硅刻蚀及其工艺参数的多尺度优化被引量：1
2014年
用CFD-ACE+和CFD-TOPO分别对容性耦合等离子体反应腔室放电和等离子硅刻蚀过程进行仿真,讨论不同射频电压和腔室条件对等离子体特性的影响.结果表明:随着射频电压的升高,离子的通量增大;在低射频电压时,离子通量随腔室压强的升高而减小,而在高射频电压时趋势则相反.用Kriging模型对影响刻蚀形貌的参数(腔室压强和射频电压)进行优化,结果表明该优化方法可以为工艺条件相近的刻蚀机设备的设计提供参考.
阎军杨明强严培
关键词：硅刻蚀KRIGING模型
一种用于等离子体刻蚀剖面演化的三维计算方法
本发明公开了一种用于等离子体刻蚀剖面演化的三维计算方法，在等离子体刻蚀剖面演化过程中，将刻蚀的初始剖面形状用初始的水平集函数加以描述，并通过重新初始化函数对初始的水平集函数进行修正，进一步通过等离子体流中的离子角度分布和...
阎军严培杨明强张维生
文献传递
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