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徐明海
作品数:
13
被引量:10
H指数:1
供职机构:
华中科技大学
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
机械工程
自动化与计算机技术
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合作作者
王宇哲
华中科技大学机械科学与工程学院...
汪学方
华中科技大学机械科学与工程学院...
刘胜
华中科技大学机械科学与工程学院...
胡畅
华中科技大学
徐春林
华中科技大学
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年份
2篇
2013
10篇
2012
1篇
2011
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13
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硅晶圆微盲孔金属填充装置
本实用新型公开了一种硅晶圆微盲孔金属填充装置,包括孔板和真空回流装置;所述孔板置于硅晶圆的表面的孔板,孔板上加工有多个用于填充金属小球的小孔,小孔与硅晶圆的微盲孔位置一一对应;所述真空回流装置用于在真空环境下熔化金属小球...
刘胜
汪学方
吕植成
袁娇娇
徐明海
师帅
王宇哲
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微型流量传感器
微型流量传感器,属于MEMS器件,用于气流流量测量,解决现有流量传感器功耗大、衬底存在热传导、响应时间长的问题。本发明之一种微型流量传感器,衬底上具有凹槽,凹槽表面架有两个分离的隔热层,各隔热层上溅射有加热体,加热体的两...
汪学方
刘胜
胡畅
王宇哲
徐明海
徐春林
文献传递
硅晶圆微盲孔金属填充方法及装置
本发明公开了一种硅晶圆微盲孔金属填充方法,将加工有多个小孔的孔板置于硅晶圆的表面,孔板上的小孔与硅晶圆的微盲孔位置一一对应;将多个金属小球洒在孔板上,并用毛刷扫动使得孔板的每一个小孔内有一个金属小球,清除孔板上多余的金属...
刘胜
汪学方
吕植成
袁娇娇
徐明海
师帅
王宇哲
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一种焊球强度测试装置
一种焊球强度测试装置,属于位移和气体压强测试装置,解决现有接触式测量方法需要制造加工更小的测量元件并保证其强度的问题。本发明包括气源、增压泵、左支架、丝杆、喷嘴、喷嘴载台、光栅尺位移传感器、元件载台、右支架、底座和光栅尺...
汪学方
刘胜
胡畅
徐春林
王宇哲
徐明海
文献传递
具有台阶的硅通孔结构及其制备工艺
本发明公开了一种具有台阶的硅通孔结构,包括半导体衬底和贯穿所述半导体衬底的具有台阶的通孔,所述台阶通孔侧壁依次沉积有绝缘层、粘附层、阻挡层,通孔内填充有金属导体,半导体衬底表面上还依次沉积有由绝缘层、粘附层、阻挡层、导电...
汪学方
王宇哲
徐明海
徐春林
胡畅
张卓
刘胜
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硅通孔结构及其制造方法
本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法,包括以下步骤:将硅片的厚度减薄至5微米至20微米;去除硅片表面的所有绝缘层;在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜,以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂,绝缘区与导电区掺杂的粒子的...
汪学方
徐春林
王宇哲
徐明海
胡畅
刘胜
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一种TSV通孔的电镀方法
本发明提出了一种TSV通孔的电镀方法,该方法首先将带有TSV通孔的硅片和种子层铜片紧密贴合;之后将硅片表面与电镀液接触,进行硅片自底到顶的电镀;最后将电镀后的硅片和种子层铜片分离。所述的种子层铜片为纯铜片或者为在表面溅射...
汪学方
刘胜
徐春林
王宇哲
徐明海
胡畅
吕植成
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应用于MEMS封装的TSV工艺研究
被引量:10
2012年
开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 nm Ti黏附阻挡层和1μm Cu种子层;使用硫酸铜和甲基磺酸铜体系电镀液电镀填充通孔,比较了双面电镀和自下而上电镀工艺;最终获得了硅片厚度370μm、通孔直径60μm TSV加工工艺。测试结果证明:样品TSV无孔隙;其TSV电阻值小于0.01Ω;样品气密性良好。
王宇哲
汪学方
徐明海
吕植成
徐春林
胡畅
王志勇
刘胜
关键词:
刻蚀
电镀
硅通孔结构
本实用新型公开了一种硅通孔结构,其形成于硅片上,并包括掺杂粒子构成的导电区和绝缘区,绝缘区与所述导电区掺杂的粒子的极性相反,所述导电区表面覆盖有金属电极,所述硅片的表面除所述金属电极之外的区域覆盖有绝缘层。本实用新型硅通...
汪学方
徐春林
王宇哲
徐明海
胡畅
刘胜
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焊球强度测试装置
焊球强度测试装置,属于位移和气体压强测试装置,解决现有接触式测量方法需要制造加工更小的测量元件并保证其强度的问题。本实用新型包括气源、增压泵、左支架、丝杆、喷嘴、喷嘴载台、光栅尺位移传感器、元件载台、右支架、底座和光栅尺...
汪学方
刘胜
胡畅
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王宇哲
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